led基本知识和工艺简介修正稿样本.docxVIP

资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。 半导体发光二极管基本知识和工艺简介 导 言 自从 60 年代初期 GaAsP红色发光器件小批量出现进而十年后大批量生产以来 , 发 光二极管新材料取得很大进展。最早发展包括用 GaAs1-x Px 制成的同质结器件 , 以及 GaP 掺锌氧正确红色器件 , GaAs1-x Px 掺氮的红、 橙、 黄器件 , GaP掺氮的黄绿器件等等。到 80 年代中期出现了 GaAlAs发光二极管 , 由于 GaAlAs材料为直接带材料 , 且具有高发光效率的双异质结结构 , 使 LED的发展达到一个新的阶段。 这些 GaAlAs 发光材料使 LED 的发光效率可与白炽灯相媲美 , 到了 1990 年, Hewlett-Packard 公司和东芝公司分别提 出了一种以 AlGaIn 材料为基础的新型发光二极管。由于 AlGaIn 在光谱的红到黄绿部分均可得到很高的发光效率 , 使 LED的应用得到大大发展 , 这些应用包括汽车灯 ( 如尾灯和转弯灯等 ) , 户外可变信号 , 高速公路资料信号 , 户外大屏幕显示以及交通信号灯。 近几年来 , 由于 CaN材料制造技术的迅速进步 , 使蓝、 绿、 白 LED的产业化成为现实 , 而且由于芯片亮度的不断提高和价格的不断下降 , 使得蓝、 绿、 白 LED在显示、 照明 等领域得到越来