(版)半导体物理学刘恩科习题答案权威修订版.docx

精品文档 精品文档 PAGE 精品文档 半导体物理学 刘恩科第七版习题答案 课后习题解答一些有错误的地方经过了改正和修订！ 第一章 半导体中的电子状态 1．设晶格常数为 a的一维晶格，导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附近能量 EV(k)分别 为： 2k2 2(kk1)2 2k21 32k2 Ec m0 ,EV(k) m0 3m0 6m0 m0为电子惯性质量，k1 ,a0.314nm。试求： a （1）禁带宽度; （2）导带底电子有效质量 ; （3）价带顶电子有效质量 ; （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解：k1 a 0.314 ＝1010 109 （1） 导带： 由dEC 22k22(kk1) 0 dk 3m0 m0 得：k 3k1 4 又因为：d2Ec 22 22 82 0 dk2 3m0 m0 3m0 所以：在k 3k1处，Ec取极小值Ec 2k1 2 (1.0541034 1010)2 3.05*1017J 4 4m0 4 9.108 1031 价带： dEV 62k 0得k 0 dk m0 2 EV 6 2 2 k 2 又因为 d 0,所以k 0处，EV取极大值 EV(k) 1 dk2 m0 6m0 3 2 2 2 k 2 2 2 (1.05410 34 10 ) 2 因此：Eg EC EV(0) k1 1 k1 10 1.02*10 17 J (k1) 4m0 6m0 12m0 12 9.108 1031 4 1 * 2 3 (2)mnC d2EC 8 m0 dk2 k3k1 4 (3)mnV* 2 m0 d2EV 6 dk2 k01 (4)准动量的定义：p k 所以：p ( k) 3 ( k)k0 3k10 3 6.625 1034 k 4 k1 4 4 2 0.314109 31.054 1034 1010 7.95 1025N/s 4 晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解：根据：f qE k 得t k t qE (0 ) 6.625 1034 2 0.25 10 9 t1 a 10 8 s 1.6 1019 102 1.6 1019 102 8.28 (0 ) t2 a 8.28 10 13 s 1.6 1019 107 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数r=17，电子的有效质量 m*n=0.015m0,m0为电子的惯性质量，求①施主杂质的电离能，②施主的弱束缚电子基态 轨道半径。 2 解：根据类氢原子模型： E0 m0q4 9.108 1031 (1.602 1019)4 5.99 10106 2(40) 22 2 (4 8.8541012)2 (1.054*1034)2 2.75 1088 2.18 10 18 J 2.18 1018 13.6eV 1.602 10 19 ED mn*q4 mn*E0 0.015 13.6 7.110 4 eV 2(4 0r) 22 m0 2 2 r 17 r0 h2 0 (6.625*1034)2 8.854 1012 0.053nm q2m0 (1.602 1019)2 9.1081031 r h2 0 r m0 r r0 60nm 2 * * q mn mn * 8. 磷化镓的禁带宽度 Eg=2.26eV，相对介电常数 r=11.1，空穴的有效质量 mp=0.86m0,m0为电 子的惯性质量，求①受主杂质电离能；②受主束缚的空穴的基态轨道半径。 解：根据类氢原子模型 ： EA mP*q4 mP*E0 0.86 13.6 0r) 22 2 11.1 20.096eV 2(4 m0r h2 0 (6.625*1034)2 8.854 10 12 0.053nm r0 (1.6021019)2 9.108 1031 q2m0 h2 0 r m0 r r0 0.68nm r 2 * * q mP mP 3 第三章 半导体中载流子的统计分布 1.计算能量在E=Ec到EEC 100 2 2 2m*nL2 之间单位体积中的量子态数。 解： 3 1 V （2m*）2 g(E) n (E EC)2 2 2 3 dZ g(E)dE 单位体积内的量子态数 Z0 dZ V 100 2 2 100 2 2 3 Ec 2m l2 Ec 1 1 2ml2 1（2mn*）2 Z0 n n 2 dE V g(E)dE 22 3 (EEC) EC EC 3 100 2 2 1（2mn*）22 32Ec 2mnl 2 2 2 3 (E EC) 3 Ec 1000 3L3 当E-EF为1.5k0T，4k0T,10k0T时，分别用费米分布函数和玻耳兹曼