电磁波反射与透射.pptx

第1页/共63页 讨论内容 9.1 均匀平面波对分界面的垂直入射 9.2 均匀平面波对多层介质分界平面的垂直入射 9.3 均匀平面波对理想介质分界平面的斜入射 9.4 均匀平面波对理想导体表面的斜入射第2页/共63页边界条件入射波（已知）＋反射波（未知） 透射波（未知） 现象：电磁波入射到不同媒质 分界面上时，一部分波 被分界面反射，一部分 波透过分界 面。 入射方式：垂直入射、斜入射； 媒质类型： 理想导体、理想介质、导电媒质均匀平面波垂直入射到两种不同媒质的分界平面 分析方法：第3页/共63页 9.1均匀平面波对分界平面的垂直入射 9.1.1对导电媒质分界面的垂直入射 z < 0中，导电媒质1 的参数为x媒质2：媒质1： z > 0中，导电媒质 2 的参数为zy 沿x方向极化的均匀平面波从 媒质1 垂直入射到与导电媒质 2 的分界平面上。第4页/共63页媒质1中的入射波：媒质1中的反射波：媒质1中的合成波：第5页/共63页媒质2中的透射波：在分界面z = 0 上，电场强度和磁场强度切向分量连续，即第6页/共63页 若媒质2理想导体，即 2= ?，则η2c= 0，故有 若两种媒质均为理想介质，即 1=2= 0，则得到 定义分界面上的反射系数R为反射波电场的振幅与入射波电场振幅之比、透射系数T为透射波电场的振幅与入射波电场振幅之比，则 讨论： R 和T是复数，表明反射波和透射波的振幅和相位与入射波 都不同。第7页/共63页则故在分界面上，反射波电场与入射波电场的相位差为πx9.1.2 对理想导体表面的垂直入射媒质2：媒质1：媒质1为理想介质， 1＝0媒质2为理想导体， 2＝∞zyz=0媒质1中的入射波：媒质1中的反射波：第8页/共63页 媒质1中合成波的电磁场为瞬时值形式合成波的平均能流密度矢量理想导体表面上的感应电流第9页/共63页 电场波节点（ 的最小值的位置）： 电场波腹点（ 的最大值的位置） 合成波的特点 媒质1中的合成波是驻波。 电场振幅的最大值为2Eim， 最小值为0 ；磁场振幅的最 大值为2Eim /η1，最小值也 为0。(n = 0 ,1,2,3,…) (n = 0,1,2,3,…) 第10页/共63页 在空间上错开λ/ 4，电 场的波腹（节）点正好是磁场 的波节腹）点； 在时间上有π/ 2 的相移 两相邻波节点之间任意两点 的电场同相。同一波节点两 侧的电场反相 坡印廷矢量的平均值为零，不 发生能量传输过程，仅在两个 波节间进行电场能量和磁场能 的交换。第11页/共63页则 例9.1.1 一均匀平面波沿+z方向传播，其电场强度矢量为（1）求相伴的磁场强度 ；（2）若在传播方向上z = 0处，放置一无限大的理想导体平板， 求区域 z < 0 中的电场强度 和磁场强度 ；（3）求理想导体板表面的电流密度。 解：(1) 电场强度的复数表示 第12页/共63页写成瞬时表达式 (2)反射波的电场为 反射波的磁场为第13页/共63页在区域 z < 0 的合成波电场和磁场分别为 (3)理想导体表面电流密度为 第14页/共63页则9.1.3 对理想介质分界面的垂直入射设两种媒质均为理想介质，即 1=2= 0x介质2：介质1：zy 讨论z=0 当η2>η1时，R> 0，反射波电场与入射波电场同相 当η2<η1时，R< 0，反射波电场与入射波电场反相第15页/共63页媒质1中的入射波：媒质1中的反射波：媒质1中的合成波：媒质2中的透射波：第16页/共63页—— 驻波电场—— 驻波电场z—— 合成波电 场 合成波的特点 这种由行波和纯驻波合成的波称为行驻波（混合波）第17页/共63页入射波平均功率密度减去反射波平均功率密度 电磁能流密度媒质1中沿z方向传播的平均功率密度媒质2中的平均功率密度由第18页/共63页 例9.1.3 入射波电场 ，从空气（z < 0）中正入射到 z = 0的平面边界面上，对z > 0区域 μr=1 、εr = 4 。求区域 z > 0的电场和磁场 。 解：z > 0区域的本征阻抗 x媒质1媒质2透射系数 zy第19页/共63页相位常数 故 第20页/共63页 例 9.1.4 已知理想媒质1的εr1=4、μr1=1 ；理想媒质2 的εr2=10、μr2 = 4 。角频率ω＝5×108 rad /s 的均匀平面波从媒质1垂直入射到分界面上，设入射波是沿 x 轴方向的线极化波，在t＝0、z＝0 时，入射波电场的振幅为2.4 V/m 。求： (1) β1和β2 ； (2) 反射系数R 和折射系数T ；