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GaN 基材料半导体激光器的发展动态 GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制 微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SiC、金刚石等半导体材 料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物 半导体材料之后的第三代半导体材料。 GaN是极稳固的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃， GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大 气压力下，GaN 晶体一样是六方纤锌矿结构。它在一个元胞中有4个原子， 原子体积大约为GaAs的一半。因为其硬度高，又是一种良好的涂层爱护材 料。 在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以专门缓慢的 速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4 能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于 这些质量不高的GaN 晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下 出现不稳固特性，而在N2气下最为稳固。 2 材料特性及器件应用 2.1 材料特性 GaN是目前为止所有Ⅲ-Ⅴ族氮化物中研究最多的材料，但与常用的Si 和GaAs材料相比，对GaN的了解依旧远远不够的。过去较大的本底n 型 载流子浓度，缺乏合适的衬底材料，GaNp型掺杂的困难及加工困难使研究 人员屡屡受挫。人们对GaN感爱好的一个要紧缘故是它作为蓝光、紫光发 射器件的应用潜力。正是由于那个缘故，许多GaN的研究工作致力于测定 GaN的光学特性。 Murask 和Tietjian第一精确测出了GaN的直截了当带隙为3.39eV。 此后不久，Pankove报道了低温GaN PL光谱。随后，Dingle等人对高质量 GaN进行了PL和阴极发光光谱测量，还有一些人进行了发射、反射和吸取 测量。Kosicki等人报道了多晶GaN的光学吸取和真空反射率。通过光学泵 浦在许多实验中发觉了GaN的受激发射。Dingle等人领先报道了GaN的激 射情形。 众所周知，SiO2是半导体加工中常用的一种专门重要的介质材料，它 还可用于GaN基激光二极管的制作。由于二氧化硅中氧对GaN光学质量的 可能阻碍，目前有一种研究二氧化硅对GaN光学特性和电学特性阻碍的实 际需求。最近X.C.Wang等人报道了对这一咨询题研究的初步结果。研究发 觉，SiO2可引起GaN外延层PL性能的明显退化。二次离子质谱(SIMS)测 量结果表明，SiO2层中的氧可能是GaN PL强度下降的真正缘故。另外还 发觉快速热退火（RTP）能够复原和提升PL性能。 2.2 器件进展 在成功地开发出蓝光和绿光LED之后，科研人员开始将研究重点转移 到电注入GaN基蓝光LD 的开发方面。1996年，Nichi 公司第一实现了室 温条件下电注入GaN基蓝光LD 的脉冲工作，随后又在年底实现了室温下 的连续波工作。Nichi 公司的成功以及蓝光LD 的庞大市场潜力致使许多大 公司和科研机构纷纷加入到开发Ⅲ族氮化物蓝光LD 的行列之中，其中Nic hi 公司的GaN蓝光LD在世界上居领先地位，其GaN蓝光LD 室温下2m w连续工作的寿命已突破10000小时。 目前制作GaN基激光器常用蓝宝石、SiC和GaN衬底。蓝宝石用作G aN基LD 的衬底时存在腔镜制作和电极工艺方面的咨询题。SiC衬底能够 满足所有要求。现已成功地在SiC衬底上生长出了高质量的GaN基材料。 SiC上生长的InGaN LD 的室温脉冲工作和连续波工作时有报道。P 型和n 型电极分不制作在芯片的顶部和底部的垂直导电结构InGaN LD也已有报 道。 1998年三星SAIT的研究人员演示了氮化物蓝光激光器室温下的脉冲 工作。三星的激光器结构是在蓝宝石衬底上生长的，但未用外延横向过生 长。有源区包括一个InGaN/GaNMQW,ALK0.07Ga0.93N用作包层。利用C AIBE 向下刻蚀 n 型GaN层制作出了10umX800um的条带。激光器端面 是利用CAIBE或解理形成，端面表面未镀膜。在1微秒脉宽、1KHz的工 作电流条件下测量了激光器的特性。在16.5V的工作电压下测得的阈值电 流为1.6A，对应于20.3KA/cm2的阈值电流密度。高于阈值电流时，观看 到了一种强烈且清晰的发射模式，中心波长为418nm。 1998年Shiji Nakamura等人在蓝宝石上横向过生长的GaN上生长了I nGaN 多量子阱(MQW)结构激光二极管。在InGaN 阱层为2 时得到了1.2