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晶体缺陷-实际晶体中位错 如果每层{112}面都相对下层{112}面滑移a/6111则就形成如下的孪晶，相当于FEDCBAFABCDEF即以F为中心成对称关系 晶体缺陷-实际晶体中位错 (二)抽出一层 如果在晶体中抽去DE两层{112}晶面(相当于空位聚集)如图，则产生如下的堆垛层错 体心立方晶体的堆垛层错（抽出层错） A B C F A B 晶体缺陷-实际晶体中位错 如果在CD之间插入DE两层(112)晶面(相当于间隙原子聚集)，则产生如下的堆垛层错。 (三)插入一层 A B C D D F E E C 体心立方晶体的堆垛层错（插入层错） 晶体缺陷-实际晶体中位错 bcc晶体比较容易在不同的{110}或{112}、{123}进行交滑移(滑移线呈波纹形)，这表明扩展只是少量的或者堆垛层错能密度相当大。尽管如此，位错1/2111仍然有几种分解的形态。 室温变形的含3%Si的铁硅合金 晶体缺陷-实际晶体中位错 3. 位错分解 (一)全位错在{110}面上的分解 晶体缺陷-实际晶体中位错 对纯螺位错，做如下分解也是可能的。 3个a/8[110]以a/4[111]为中心向3个相交{110}面对称扩展(不能滑动) 晶体缺陷-实际晶体中位错 全位错在{110}面上分解后得到不全位错，在不全位错之间应有层错存在。事实上用电子显微镜在bcc金属中没有观察到扩展位错，而用一般显微镜观察，能看到波纹状的滑移线，这说明位错容易交滑移。 晶体缺陷-实际晶体中位错 (二)全位错在{112}面上的分解 一般认为{112}面上的a/2111全位错有可能发生如下分解 螺型全位错分解成两个螺型不全位错，均位于同一滑移面上。在外力作用下可整体滑移，称为可滑移分解。1/6[11-1]不全位错有重要作用，它在滑移面(112)扫过时可产生孪晶结构， 晶体缺陷-实际晶体中位错 4.孪晶位错 孪晶面为{112}面，孪生时平行该面的相邻晶面都发生a/6111位移，圆球为纸面上的原子，小黑点也是原子中心，但不在纸面上。假如我们以C层为孪晶面，此面以上晶体保持不动，将以下的晶体向[11-1]推移，使B层原子正好在D层原子的正下方 (112)面堆垛的平面图 晶体缺陷-实际晶体中位错 每层{112}面上都有一个1/6111不全位错，它们相继发 生滑动，于是就在各面之间产生了1/6111均匀的切变。 体心立方晶体形成孪晶的示意图 晶体缺陷-实际晶体中位错 要求几百甚至几千层112面上都有1/611-1孪晶位错，这几乎是不可能的 体心立方晶体形成孪晶的示意图 晶体缺陷-实际晶体中位错 扫动位错： 极轴位错：混合型，附近原子面为螺旋面 晶体缺陷-实际晶体中位错 不可滑移分解，无中心位错 特点：所形成的扩展位错组态阻碍其他位错滑移 对纯螺位错1/2111还可以分解在3个{111} 晶体缺陷-实际晶体中位错 裂纹位错 除全位错a/2111，还有a001可由前者合成获得 晶体缺陷-实际晶体中位错 滑移面为(100)，不是(110)面，因而不能滑移。它是一个刃型全位错，相当于在晶体中插入半个(001)面。连续发生上述位错反应，在(100)面上形成一列相继的刃型位错，相当于相继插入若干个(001)半原子面。由于(001)恰好是BCC晶体的解理面，故这些相继排列的定位错就会萌生裂纹。 晶体缺陷-实际晶体中位错 位错环 过饱和的间隙原子和空位片会择优聚集在密排的{110}面上，形成b=1/2110位错环。 但由于在这些面上不能形成稳定的层错，故上述位错环会通过下面两个反应中的一个反应，形成b=1/2111（已被观察）或b=100的位错环。 在第三章中，我们曾经讨论过构成一个位错的方法是:把晶体的一部分切开，得到二个面，加力使这二面作相对位移b，然后再把这二个面胶合起来。于是，在这个被切开面的周界上就形成了位错。当时就曾指出位移b的特点是一个点阵矢量;在位移发生以后，晶体除去沿切开面的周界上以外，仍然保持其完整性，即滑移区与未滑移区具有一种晶体结构。现在要进一步提出问题，位移b是不是可以不为点阵矢量呢?或者说，位错环内外的原子排列是否可以不同呢?一般来说，是不可能的。因为从能量的角度来看，这样的原子排列所需的能量是高的。例如，在简单立方晶体中，沿着〔100〕方向在(001)面上移动一个原子间距时，移动过的部分仍保持简单立方结构;如果移动1/2[100]即移动半个原子间距，则不仅已滑移区与未滑移区的交界上原子处于错排位置。整个已滑移区的滑移面上下的原子也处于错排位置。这显然是在晶体中增加了高能区域。但是在某一种实际晶体的某一特定的晶面上，我们确实遇到了这种位移b不是晶体点阵矢量的情况。伯格斯矢量b不是点阵矢量的位错称为分位错，或部分位错，或半位错。相应地，伯格斯矢量是点阵矢量的位错可称为全位错，或单位位错