第4章光通信器件.ppt

第4章光通信器件 hυ 耗尽区 反偏的PN结 导带 价带 P区 N区 PN结 响应波长 产生光电效应的条件： 截止波长 上截止波长 上截止波长受禁带宽度的限制，当光子能量小于禁带宽度时，不能产生光电效应 Ge材料：1.6μm；Si材料：1.06μm 下截止波长 半导体材料对入射光的吸收作用和波长有关 下截止波长受 0 电场区吸收限制，当光子频率很高时，其穿透深度小于 0 电场区的厚度，不能到达耗尽区 响应度和响应时间 光电转换效率用量子效率或响应度表示： 量子效率：一次光生电子-空穴对和入射光子数的比值 响应度：一次光生电流和入射光功率的比值 响应时间 入射光功率呈阶跃变化的条件下，检测器的输出电流从最大值的10%上升到90%所用的时间 响应度和响应时间 响应时间制约元素： 检测器的结电容和外电路电阻构成电路的时间常数 电荷载流子渡越耗尽区的时间 响应时间决定了器件的可用频带宽度 普通PD存在的问题 普通PD直接使用P掺杂半导体和N掺杂半导体结合而成，工作时加反向偏压 存在问题 0电场区较厚 量子效率低、响应速度慢 耗尽区较薄 量子效率低、结电容大，影响响应速度 P区 PN结 N区 0电场区 0电场区 耗尽区 F-P谐振腔 图 激光器的构成和工作原理 (a) 激光振荡； (b) 光反馈 阈值条件 当注入电流从零逐渐增大时，并不能立即产生激光 由于谐振腔内部会有各种损耗 光场在谐振腔内部往返一次所得的增益足以补偿腔内所有的损耗时才会形成稳定的激光输出 阈值条件 阈值条件 阈值电流 阈值增益系数主要决定于有源区的粒子数反转浓度，或者说决定于注入电流 对于确定结构的半导体激光器必有一个确定的注入电流It，在此注入电流下，激光器的增益系数正好等于其总损耗系数 如果注入电流再增加，增益就会超过损耗，激光器从自发辐射状态转换为受激辐射状态 It称为阈值电流 F-P谐振腔 谐振腔中的电磁场呈驻波分布，谐振腔中的谐振模式分为纵模和横模 光波在两个镜面之间来回反射，入射波和反射波叠加会形成稳定的驻波分布。 轴向形成稳定驻波的条件是两个反射镜之间的距离即腔体的长度L是腔体中电磁波半波长的整数倍 纵模 F-P谐振腔 纵模在频率轴上是均匀分布的 F-P谐振腔 谐振腔在横截面内的电磁场结构决定了谐振腔的横模。 谐振腔内的场具有准TEM场特性，可以用TEMmnq来代表F-P腔中的谐振模式。 q：纵模序数（一般不写） m和n：横模序数 横模 基横模状态TEM00q ，对于一个确定的纵模序数q，谐振频率是确定的，即每一个纵模序数q对应一条谱线。 多横模条件下，对应确定的纵模序数，谱线将被展宽。 F-P谐振腔的损耗 腔内光子数减少到初始值的1/e的时间间隔称为腔内光子寿命 由于存在损耗，确定纵模谐振频率不再是确定值，而对应于一条确定的谐振曲线。 4.3.2 LD的工作特性 激光器的工作特性内容 包括以下几个方面 转换效率 温度特性 P-I特性 光谱特性 激光光束的空间特性 转换效率 激光器的电/光转换效率用外微分量子效率表示 表征了阈值以上的输出的光子数的增量与注入的电子数的增量之比，且随温度的升高而下降 P I P-I特性 激光器的P-I特性表现出明显的阈值特性 当注入电流小于阈值电流时，不发射激光，输出光功率随注入电流的增加而缓慢增长 当注入电流大于阈值电流时，发射激光，输出光功率随注入电流的增加而迅速线性增长 Ith 温度特性 LD总体上是一个温度敏感器件。 温度的变化对LD的工作状态影响较大，主要存在以下几个方面的影响 温度升高，阈值电流升高 温度升高，输出功率降低 温度变化，波长不稳定 光束发射特性 半导体激光器的有源区是一个类似于矩形平面介质波导 近区场呈椭圆形分布，长轴在波导的宽边方向，短轴在窄边方向 远区场也呈椭圆形分布，但长轴在波导的窄边方向，短轴在宽边方向 远区场表现出LD光束的发射特性，通常垂直发散角约 300～400，水平发散角约 100～200 光谱特性 使用天然解理面构成F-P谐振腔的半导体激光器存在多纵模振荡的情况，每一个纵模对应一个振荡波长，因此总体上LD的频谱呈现多谱线结构，谱线包络为高斯轮廓 半导体激光器的发射波长取决于导带的电子跃迁到价带时所释放的能量 不同的半导体材料有不同的禁带宽度，因而有不同的发射波长 镓铝砷-镓砷(GaAlAs-GaAs)----0.85 μm 铟镓砷磷-铟磷(InGaAsP-InP)----1.3~1.55 μm LD输出谱线随注入电流的变化 75mA 2.3mW 80mA 4mW 100mA 10mW 直流驱动 300Mb/s数字调制 静态单纵模激光器 动态单纵模激光器 F-P谐振腔 改变结构 分布反馈激光器 动