第二章pn结和pn结二极管.pptVIP

第二章 p-n结和pn结二极管;p-n结(junction)： 由p型半导体和n型半导体接触形成的结．;一、热平衡状态下的p-n结;; 这个过程直到两种载流子的扩散运动和漂移运动达到动态平衡时为止。于是，在平衡时，pn结两侧形成一个稳定的电场，由n指向p，称为自建场。同时在n和p之间形成一个电位差，称为自建电势(built-in protential)。[从统计物理上说，这个过程直到n和p两侧费米能级一致时为止，整个样品上的费米能级必须是常数(亦即与x无关)，如下面所示的能带图。] pn结达到(动态)平衡时，满足细致平衡，;2、能带图(band diagram) ：;平衡费米能级(equilibrium Fermi levels) ：;同理可得净电子电流密度为 ;3、内建电势(built-in protential)Vbi ：;对于p型中性区，假设ND=0和pn。p型中性区相对于费米能级的静电电势，在图中标示为ψp，可以由设定ND=n=0及将结果p=NA代入式;在热平衡时，p型和n型中性区的总静电势差即为内建电势Vbi;例1:计算一硅p-n结在300K时的内建电势，其NA＝1018cm-3和ND＝1015cm-3． ?; 由中性区移动到结，会遇到一窄小的过渡区，如左图所示．这些掺杂离子的空间电荷部分被移动载流子补偿．越过了过渡区域，进入移动载流子浓度为零的完全耗尽区，这个区域称为耗尽区(空间电荷区)．对于一般硅和砷化镓的p-n结，其过渡区的宽度远比耗尽区的宽度要小．因此可以忽略过渡区，而以长方形分布来表示耗尽区，如右图所示，其中xp和xn分别代表p型和n型在完全耗尽区的宽度。;在p=n=0时．式;1、突变结：如图，突变结是浅扩散或低能离子注入形成的p-n结．结的杂质分布可以用掺杂浓度在n型和p型区之间突然变换来近似表示．;半导体的总电荷中性要求p侧每单位面积总负空间电荷必须精确地和n侧每单位面积总正空间电荷相同： ;其中Em是存在x＝0处的最大电场;将 ;当p-n结一侧的掺杂浓度远比另一侧高的突变结为单边突变结;电场分布的表示式仍为： ;再一次积分泊松方程式，可得到电势分布 ： ;例2：一硅单边突变结，其NA＝1019cm-3，ND=1016cm-3，计算在零偏压时的耗尽区宽度和最大电场(T＝300K)． ;前面讨论的是对于在一热平衡没有外加偏压的p-n结，如图(a)所示，其平衡能带图显示横跨结的总静电电???是Vbi．从p端到n端其对应的电势能差是qVbi。;反之，如图(c)所示，如果在n端加上相对于p端的正向电压VR，p-n结成为反向偏压，且跨过结的总静电电势增加了VR，亦即成为Vbi+VR．可见，反向偏压会增加耗尽区宽度．将这些电压代入式; 对于深扩散或高能离子注入的p-n结，杂质浓度分布可以被近似成线性缓变结，亦即浓度分布在结区呈线性变化．这样的p-n结称为线性缓变结，如图． ; 热平衡的状态下，线性缓变结耗尽区的杂质分布如图(a)所示．泊松方程式在此为 ;在x=0处的最大电场为 ; 因为在耗尽区边缘(-W/2和W/2)的杂质浓度一样，且都等于aW/2，所以根据, ; 当正向偏压或反向偏压施加在线性缓变结时，耗尽区的宽度变化和能带图会和突变结相似．;例3：对于一浓度梯度为1020cm-4的硅线性缓变结，耗尽区宽度为0.5?m。计算最大电场和内建电势(T＝300K)． ;; 在反向偏压下，外加的电压增加了跨过耗尽区的静电电势，如中间图所示．如此将大大地减少扩散电流，导致一小的反向电流．;假设满足：①耗尽区为突变边界，且假设在边界之外，半导体为电中性．②在边界的裁流子浓度和跨过结的静电电势有关．③小注入情况，亦即注入的少数载流子浓度远小于多数载流子浓度，即在中性区的边界上，多数载流子的浓度因加上偏压而改变的量可忽略．④在耗尽区内并无产生和复合电流，且电子和空穴在耗尽区内为常数． ; 可见，在耗尽区边界上，电子和空穴浓度与热平衡时的静电电势差Vbi有关.由假设②，可以预期在外加电压改变静电电势差时，仍然保持相同的关系式．当加上一正向偏压，静电电势差减为Vbi-VF；而当加上一反向偏压，静电电势差增为Vbi+VR。因此，上式可修正为 ;在小注入情况下，注入的少数载流子浓度远比多数载流子要少，因此，nn?nn0．将此条件以及式;;;;;; 理想的二极管方程式，可以适当地描述锗p-n结在低电流密度时的电流-电压特性．然而对于硅和砷化镓的p-n结，理想方程式只能大致吻合，因为在耗尽区内有载流子的产生及复合存在． ;其中?g为产生寿命，是括号里表示式的倒数。考虑一简单的例子，其中?n= ?p= ?0，上式可简化成 ;其中W为耗尽区宽度．p+-