第一章半导体中的电子态.pptVIP

本章重点： 1、半导体的晶格结构 2、半导体的电子态和能带的形成：材料分类 3、半导体中电子运动的动力学规律： 4、本征半导体的导电机理：空穴的概念 5、半导体杂质、缺陷和掺杂作用：n 型、p型、补偿作用;1.1 半导体的晶格结构和结合性质;1.1 半导体的晶格结构和结合性质;1.1 半导体的晶格结构和结合性质;1.1 半导体的晶格结构和结合性质;图1.4 常用的密勒指数示意图（a）晶面 （b）晶向;1.1 半导体的晶格结构和结合性质;2.金 刚 石 晶 体 结 构和共价键 （ Si：a=5.43A; Ge:a=5.66A ; ?-SiC:a=4.35A， 金刚石 a=3.567A等）; 课堂作业：;作业题1 ;作业题2;（100）;作业题3;1.1 半导体的晶格结构和结合性质;钎锌矿结构; 1.2.1 原子的能级和晶体的能带 1.2.2 半导体中电子的状态和能带 1.2.3 半导体、导体、绝缘体的能带结构 1.2.4 能带形成的定量化关系;1.2.1 原子的能级和晶体的能带;b.两个相互靠近的原子;;例：半导体Si的能带结构的形成;Si的3s和3p态分裂为允带和禁带; n=1和n=2的两个较深的能带是满带。考虑n=3的能带，3s有两个量子态，3p有6个量子态，N个Si原子形成固体时，随着原子间距的减少，3s和3p