GSD200E2离子注入机最新分析和总结.pdfVIP

目 录 第一章 离子注入原理 第二章 离子注入机简介 2 第三章 GSD 200 E 离子注入机的组成及工作原理 第一节 GSD 200 E 2 离子注入机的技术指标 第二节 GSD 200 E 2 离子注入机的机械结构 1.离子源部分 source component 2. 束线部分 beam line component 3.靶盘及终端台部分 end station component 第四章 安全注意事项 １ 第一章 离子注入原理 半导体是一种导电性能介于导体与绝缘体之间的一种物质 . 为了使半导 体材料能够在半导体器件中制成 p-n 结, 电阻器 , 欧姆接触以及互连线 , 需要 对半导体进行掺杂以改变材料的电学性质 , 从而制成真正的半导体器件 . 掺杂就是将所需的杂质按所要求的浓度与分布掺入到半导体材料中 , 掺 入杂质的种类 , 数量及其分布对器件的影响极大 , 必须加以精确控制 , 因此掺 杂是半导体制造中的一道重要工艺 . 在集成电路制造中 , 掺杂主要采用两种方法 : 扩散法和离子注入法 . 扩散法就是利用高温将杂质掺入到半导体材料中 , 因为在一定的温度条 件下 , 杂质原子具有一定的能量 , 它能够克服某种阻力进入到半导体中 , 并在 其中作缓慢的迁移运动 , 这些杂质原子不是代替硅原子的位置就是处在晶体 的间隙中 . 扩散运动只是从浓度高的地方向浓度低的地方移动 , 移动的快慢 与温度 , 浓度梯度有关 . 一般讲高浓度深结掺杂采用热扩散 , 而浅结高精度掺杂采用离子注入 . 由 于离子注入可以严格地控制掺杂量及其分布 , 而且具有掺杂温度低 , 横向扩 散小 , 可掺杂的元素多 , 可对各种材料进行掺杂 , 杂质浓度不受材料固溶度的 限制 , 所以离子注入目前己被广泛地采用 . 尤其是对于 MOSVLSI器件 , 需要严 格控制开启电压 , 负载电阻等 , 一般的热扩散技术已不适用 , 必须采用离子注 入 . 所谓离子注入就是先使待掺杂的原子 ( 或分子 ) 电离 , 再加速到一定的能 量 , 使之注入到晶体中 , 然后经过退火使杂质激活 , 达到掺杂的目的 . 当高能量的离子进入晶体后 , 不断地与原子核及核外电子碰撞 , 然后逐渐 损失能量 , 最后停止下来 . 离子进入单晶后的运动 , 可分为两种情况 . 一种是沿着晶轴的方向运动 , 在晶格空隙中穿行 , 好象在“沟道”中运动一样 , 它和核外电子作