Ch05IC有源元件与工艺流程.pptx

集成电路设计基础;第五章 IC有源元件与工艺流程;第五章 IC有源元件与工艺流程 ;图5.1 几种IC工艺速度功耗区位图;5.2 双极性硅工艺 ;5.2 双极性硅工艺;5.3 HBT工艺;5.4 MESFET和HEMT工艺 ;GaAs工艺：HEMT;GaAs工艺：HEMT工艺的三明治结构;Main Parameters of the 0.3 mm Gate Length HEMTs;与Si三极管相比，MESFET和HEMT的缺点为: 跨导相对低; 阈值电压较敏感于有源层的垂直尺寸形状和掺杂程度； 驱动电流小 由于跨导大，在整个晶圆上，BJT的阈值电压变化只有几毫伏，而MESFET，HEMT要高十倍多。 ;5.5 MOS工艺和相关的VLSI工艺;???5.7 MOS工艺的分类 ;认识MOSFET;MOS工艺的特征尺寸(Feature Size);5.6 PMOS工艺5.6.1 早期的铝栅工艺;铝栅PMOS工艺特点：;Al栅MOS工艺缺点;Al栅MOS工艺的栅极位错问题;5.6.2 铝栅重叠设计;铝栅重叠设计的缺点;克服Al栅MOS工艺缺点的根本方法;5.6.3 自对准技术与标准硅工艺;标准硅栅PMOS工艺;硅栅工艺的优点：;5.7 NMOS工艺;5.7.1 了解NMOS工艺的意义;5.7.2 增强型和耗尽性MOSFET (Enhancement mode and depletion mode MOSFET);E-/D-NMOS和E-PMOS的电路符号;E-NMOS的结构示意图(增强型VD=0V, Vgs=Vsb=0V);D-NMOS的结构示意图(耗尽型 VD=0V, Vgs=Vsb=0V);E-PMOS的结构示意图 (增强型 VD=0V, Vgs=Vsb=0V);5.7.3 E-NMOS工作原理图;E-NMOS工作原理图;E-NMOS工作原理图;5.7.4 NMOS工艺流程;表5.3 NMOS的掩膜和典型工艺流程;图5.17 NMOS反相器电路图和芯片剖面示意图;5.8 CMOS工艺;5.8.1 1?Poly-, P阱CMOS工艺流程;表5.4 一层多晶硅,一层金属, n型衬底CMOS的掩膜和典型工艺流程;5.8.2 典型1P2M n阱CMOS工艺主要步骤;CMOS反相器电路图和芯片剖面示意图;CMOS的主要优点是集成密度高而功耗低，工作频率随着工艺技术的改进已接近TTL电路，但驱动能力尚不如双极型器件，所以近来又出现了在IC内部逻辑部分采用CMOS技术，而I/O缓冲及驱动部分使用双极型技术的一种称为BiCMOS的工艺技术。;BiCMOS工艺的特点就是在CMOS工艺的基础上加入双极性器件的特殊的工序;BiCMOS工艺下NPN晶体管的俯视图和剖面图;9、有时候读书是一种巧妙地避开思考的方法。2月-212月-21Wednesday, February 17, 2021 10、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。21:46:3421:46:3421:462/17/2021 9:46:34 PM 11、越是没有本领的就越加自命不凡。2月-2121:46:3421:46Feb-2117-Feb-21 12、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。21:46:3421:46:3421:46Wednesday, February 17, 2021 13、知人者智，自知者明。胜人者有力，自胜者强。2月-212月-2121:46:3421:46:34February 17, 2021 14、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。17 二月 20219:46:34 下午21:46:342月-21 15、最具挑战性的挑战莫过于提升自我。。二月 219:46 下午2月-2121:46February 17, 2021 16、业余生活要有意义，不要越轨。2021/2/17 21:46:3421:46:3417 February 2021 17、一个人即使已登上顶峰，也仍要自强不息。9:46:34 下午9:46 下午21:46:342月-21