模拟电子题库（49道）.docx

模拟电子 1、N型半导体中多数载流子是（ ）。——[单选题]A 电子B 空穴C 正离子D 负离子 正确答案：A ? 2、P型半导体中多数载流子是（ ）。——[单选题]A 电子B 空穴C 正离子D 负离子 正确答案：B ? 3、在本征半导体中加入元素（ ）可形成P型半导体。——[单选题]A 砷B 硼C 碳D 磷 正确答案：B ? 4、在本征半导体中加入元素（ ）可形成N型半导体。——[单选题]A 镓B 硼C 碳D 磷 正确答案：D ? 5、当三极管发射结正偏，集电结正偏时工作于（ ）状态。——[单选题]A 放大B 截止C 饱和D 无法确定 正确答案：C ? 6、当三极管发射结正偏，集电结反偏时工作于（ ）状态。——[单选题]A 放大B 截止C 饱和D 无法确定 正确答案：A ? 7、当三极管发射结反偏，集电结反偏时工作于（ ）状态。——[单选题]A 放大B 截止C 饱和D 无法确定 正确答案：B ? 8、当PN结正向偏置时，耗尽层将（ ）。——[单选题]A 变宽B 变窄C 不变D 无法确定 正确答案：B ? 9、增强型MOS管在漏区和源区之间产生导电沟道的前提是（ ）。——[单选题]A VGS=0B VGS>0C VGS<0D VDS>0 正确答案：B ? 10、增强型N沟道MOS管，在漏区和源区之间已产生导电沟道后，增加VDS的值（VDS总体很小）时，漏极电流ID会（ ）。——[单选题]A 减小B 增大C 不变 正确答案：B ? 11、增强型N沟道MOS管，在漏区和源区之间已形成夹断区，继续增加VDS的值，漏极电流ID会（ ）。——[单选题]A 减小B 增大C 基本不变 正确答案：C ? 12、场效应管FET工作时只有一种载流子参与导电，因此称为（ ）晶体管——[单选题]A 双极性B 单极性C 电流控制 正确答案：B ? 13、BJT工作时有两种载流子参与导电，因此称为（ ）晶体管——[单选题]A 双极性B 单极性C 电压控制 正确答案：A ? 14、在整流电路中，二极管之所以整流，是因为它具有（ ）。——[单选题]A 电流放大特性B 单向导电的特性C 反向击穿的性能D 稳压特性 正确答案：B ? 15、当放大电路输出端等效为电压源时，输出电阻越小，则负载获得的输出电压（ ）——[单选题]A 越大B 越小C 不变D 不确定 正确答案：A ? 16、放大电路为从信号源获取的信号越强，则要求输入电阻越( ）——[单选题]A 越大B 越小C 不变D 不确定 正确答案：A ? 17、三极管能起放大作用的内部条件通常要求发射区掺杂浓度（ )。——[单选题]A 高B 低C 薄D 厚 正确答案：A ? 18、三极管能起放大作用的内部条件通常要求基区（ )。——[单选题]A 高B 低C 薄D 厚 正确答案：C ? 19、三极管能起放大作用的内部条件通常要求集电区面积（ )。——[单选题]A 大B 小C 薄D 高 正确答案：A ? 20、场效应管属于（ ）控制的半导体器件；双极性晶体三极管属于（ ）控制的半导体器件。——[单选题]A 电压，电流B 电流 ，电压C 电压，电压D 电流，电流 正确答案：A ? 21、对于放大电路来说，最基本的要求是（ ）——[单选题]A 输入电阻大B 放大倍数C 输出电阻小D 不失真 正确答案：D ? 22、下列哪些属于放大倍数（ ）——[