传感器测试实验报告.docxVIP

实验一直流激励时霍尔传感器位移特性实验 一、 实验目的： 了解霍尔式传感器原理与应用。 二、 基本原理： 金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于磁场和电流的方向上将产生 电动势，这种物理现象称为霍尔效应。具有这种效应的元件成为霍尔元件，根据霍尔效应，霍 尔电势Uh = KhIB，当保持霍尔元件的控制电流恒定，而使霍尔元件在一个均匀梯度的磁场中 沿水平方向移动，则输出的霍尔电动势为 Uh kx，式中k —位移传感器的灵敏度。 这样它就 可以用来测量位移。霍尔电动势的极性表示了元件的方向。磁场梯度越大，灵敏度越高；磁场 梯度越均匀，输出线性度就越好。 三、 需用器件与单元： 霍尔传感器实验模板、霍尔传感器、 土 15V直流电源、测微头、数显单元。 四、 实验步骤： 1、 将霍尔传感器安装在霍尔传感器实验模块上，将传感器引线插头插入实验模板的插座 中，实验板的连接线按图 9-1进行。1、3为电源土 5V , 2、4为输出。 2、 开启电源，调节测微头使霍尔片大致在磁铁中间位置，再调节 Rw1使数显表指示为 零。 直流激励时霍尔传感器位移实验接线图图 直流激励时霍尔传感器位移实验接线图 图9-1 3、测微头往轴向方向推进，每转动 0.2mm记下一个读数，直到读数近似不变，将读数 填入表9-1。 X ( mm) V(mv) 作出V-X曲线，计算不同线性围时的灵敏度和非线性误差。