MOS管驱动电路详解要点.pdfVIP

MOS管驱动电路综述连载（一） 时间： 2009-07-06 8756 次阅读 【网友评论 2 条 我要评论 】 收藏 在使用 MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑 MOS 的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的 电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是 FET的一种（另一种是 JFET），可以被制造成增强型或耗尽型， P 沟道或 N沟道共 4 种类型，但实际应用的只有增强型的 N沟道 MOS管和增强型的 P沟道 MOS管，所以通常提到 NMOS，或者 PMOS指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的 MOS管，不建议刨根问底。 对于这两种增强型 MOS管，比较常用的是 NMOS。原因是导通电阻小，且容易制 造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用 NMOS。下面的介绍中，也多 以 NMOS为主。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺 限制产生的。 寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些， 但 没有办法避免，后边再详细介绍。 在 MOS管原理图上可以看到， 漏极和源极之间有一个寄生二极管。 这个叫体二极 管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只 在单个的 MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。 2、MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs 大于一定的值就会导通， 适合用于源极接地时的情况 （低端驱 动），只要栅极电压达到 4V 或 10V 就可以了。 PMOS的特性，Vgs 小于一定的值就会导通， 适合用于源极接 VCC时的情况 （高端 驱动）。但是，虽然 PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价 格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用 NMOS。 3、MOS开关管损失 不管是 NMOS还是 PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上 消耗能量， 这部分消耗的能量叫做导通损耗。 选择导通电阻小的 MOS管会减小导 通损耗。现在的小功率 MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。 MOS两端的电压有一个下降 的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内， MOS管的损失是电压和 电流的乘积， 叫做开关损失。 通常开关损失比导通损失大得多， 而且开关频率越 快，损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大， 造成的损失也就很大。 缩短开关时间， 可以减 小每次导通时的损失； 降低开关频率， 可以减小单位时间内的开关次数。 这两种 办法都可以减小开关损失。 4 、MOS管驱动 跟双极性晶体管相比，一般认为使 MOS管导通不需要电流，只要 GS电压高于一 定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。 在 MOS管的结构中可以看到，在 GS，GD之间存在寄生电容，而 MOS管的驱动， 实际上就是对电容的充放电。 对电容的充电需要一个电流， 因为对电容充电瞬间