半导体行业报告：计算光刻技术管控升级，光刻工艺设备、材料、软件.pptVIP

瓦森纳协议增加对 EUV 计算光刻软件的出口管制 根据集微网，去年年底《瓦森纳安排》进行了新一轮的修订，增加了两条有关半导体领域的出口管制内 容，主要涉及计算光刻软件和 12 英寸硅片切割、研磨、抛光等方面技术。其中，新版《瓦森纳安排》是 在原有版本基础上，增加了一条针对 EUV光刻掩膜而设计的“计算光刻软件”内容，而对符合光源波长短于 193 nm，或最小可分辨特征尺寸（MRF）为 45 nm或更小的图案（MRF=曝光光源波长*0.35/NA）的光刻机出 口管制标准尚未变化。 图表 1. 瓦森纳协议近 10 年对光刻技术的出口管控范围 MRF 时间 光源波长 计算光刻 （最小可分辨特征尺寸） 180nm 及以下 2009 之前 2010-2013 2014-2018 2019 以后 小于 245nm 小于 245nm 小于 193nm 小于 193nm 95nm 及以下 45nm 及以下 45nm 及以下 EUV 计算光刻技术管控 资料来源： THE WASSENAAR ARRANGEMENT，中银证券 计算光刻技术是通过对掩膜、光源的正向或反演优化，降低因衍射影响光刻效果的程度 “计算光刻”是利用计算机建模、仿真和数据分析等手段，来预测、校正、优化和验证光刻工艺在一系列图 案、工艺和系统条件下的成像性能。 计算光刻通常包括光学邻近效应修正（OPC）、光源-掩膜协同优化技术（SM