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图4-7 n型Ge的电调制反射谱 3.4 偏振反射光谱： 为什么要采用偏振反射光谱？ 晶体的反射光谱带的清晰度强烈地依赖于光的入射角和偏振，对应光学各向同性晶体，最好的观察条件，即在反射光谱中能够观察到最大对比度结构的条件是： (1) 入射角接近布儒斯特角 (2)光的电矢量平行于入射面 在有吸收的条件下，布儒斯特角θB的大小依赖于光学常数n和k。 在n2，k≤1(半导体吸收边情况)条件下，有 若n=3，k=0.6，则θB＝72.5°,当k值增大时， θB也相应增大，当k值很大时， θB接近90°，但不等于90°。 椭圆偏振反射光谱： 分析试样表面光反射时偏振状态变化的光谱分布。 通过反射光的电矢量平行入射面和垂直入射面的两个分量的振幅比和相移差来揭示材料的光学性质。 可同时测定光学常数n和k。 图4-8 椭圆偏振反射光谱装置 1.单色仪，2.凹面镜， 3.5. 7.9.光栏，4.起偏器，6.样品台， 8.检偏器，9.光电倍增管，10.放大指示系统 (4) 应用 4.1.半导体禁带宽度的确定 半导体材料的重要参数之一是禁带宽度Eg，它的大小和跃迁性质对电学输运过程是决定性的，对光学和电性质也至关重要。 半导体基本光学吸收的长波吸收限对应的光子能量称为光学禁带宽度。 通过吸收光谱测得吸收光谱曲线，利用吸收系数的频率关系可决定Eg的准确值。 若吸收系数的频率关系满足(hω-Eg)1/2的关系，则由αd2与hω的直线关系容易决定Eg。 它由αd2的延长线与hω轴的交点所决定，这对应垂直跃迁的情况。 在带际间接光学跃迁的情况时，利用相应的关系式可确定禁带宽度和参与作用的声子的能量。 方法： 在不同的温度时测量吸收系数，作出αi1/2对hω的关系曲线，每条曲线可分为两根直线： αi1/2和(αia+ αie)1/2。这两条直线(或其延长线)在hω轴上的截距差即决定2 hωs值；两截距的平均值即决定Eg值。 利用吸收系数的频率关系，温度关系和吸收系数量级等三方面的光谱差异，原则上可确定本征吸收边的光学跃迁性质。 4.2. 激子光谱的观察 激子态实际上是固体中的一种激发态，它是静电库仑吸引作用导致电子与空穴形成的束缚对，其所需要的激发能量低于禁带宽度Eg。 在绝缘晶体和半导体的光吸收过程中，当入射光子能量略低于禁带宽度Eg时，可能会产生某种光谱结构与激子跃迁所对应。 激子光谱可以用吸收光谱，也可以用反射光谱观察，但多数需要在低温下进行。对晶体的激子光谱的研究，可获得激子态能量外，还可了解电子能带结构以及激子在晶体中传输能量的作用，激子与声子、杂质的相互作用等。 4.3. 电子能带结构的研究 利用基本反射光谱方法，特别是稍后发展起来的调制反射光谱方法结合电子能带计算方法，可精确地研究电子能带结构。 一般方法：由测得的反射光谱求得介电函数虚部εi(ω)，并与能带计算所求得的εi(ω) 进行比较分析，最后确定电子的能带结构。 这些工作需要尽量利用电调制光谱，压力和温度对光谱的影响的实验结果以及光电发射的数据，进行综合分析，才能取得比较可靠的结果。 4.4 纳米材料与纳米结构的光吸收特征 (a).宽频带强吸收 (b).蓝移和红移现象 量子限域效应：蓝移 表面效应：红移 (c).量子限域效应 激子带的吸收系数随粒径下降而增加，即出现激子增强吸收并蓝移 ? 固体材料中的光学过程 图4-3-2 各类固体材料的吸收光谱,其具体情况千差万差别，这里我们以半导体吸收光谱为典型的例子来说明： 位于紫外～可见光区，或扩展到近红外区。 由电子从价带跃迁到导带所引起的强吸收区。 电子吸收光子后由价带跃迁到导带的过程称为本征吸收。在跃迁过程中，产生可以跃迁的电子和空穴。 在吸收带的高能量端，吸收系数有一个平缓地下降，在其低能量端，吸收系数则迅速下降（在十分之几电子伏特间，吸收系数下降6个数量级），基本吸收区低能量端的这一边界称为吸收边缘。 吸收边缘的界限对应于电子跃迁时所越过的最小能量间隙Eg（禁带宽度）。 2.1本征吸收 图4-3-2 只有光子能量?禁带宽度时，才可能产生本征吸收。 电子由价带到导带的跃迁，必须满足选择定则：准动量守恒，即 为吸收光子前电子的波矢， 为吸收光子后电子的波矢。 光子的动量相对于电子的动量可以忽略，故动量选择定则成为： 满足这一动量选择定则（保持波数（准动量））不变的跃