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模拟集成电路课程设计 一、 摘要 CMOS 两级运放设计 本课程设计要求完成一个两级运放的设计， 采用设计工艺为 CMOS的 0.35um 工艺技术， 该工艺下器件可以等效为长沟道器件， 在分析计算时可采用一级模型进行计算。 本次设计主要了对于共模输入电压等指标提出了要求， 详见下表。 在正文中将就如何满足这些指标进行 分析与讨论，并将计算结果利用 cadence 进行仿真，得出在 0.35um 工艺电路的工作情况。 二、电路分析 课程设计的电路图如下： 输入级（第一级）放大电路由 M1-M5 组成，其中 M1 与 M2 为 NMOS 差分输入对管， M3 与 M4 为 PMOS有源负载， M5 为第一级提供恒定的偏置电流。 输出级（第二级）放大电路由 M6、 M7 以及跨接在 M6 栅漏两端（即第二级电路输入与输出两端）的电容 Cc 组成，其中 PMOS 管 M6 为共源极接法，用于实现信号的放大，而M7 与 M5 功能相同，为第二级提供恒定的偏置电流，同时 M7 还作为第二级的输出负载。 Cc 将用于实现第二级电路的密勒补偿，改变 Cc 的值可以用于实现电路中主极点与非主极点分离等功能。 偏置电路由恒流源 IB 和以二极管形式连接的 M8 组成，其中 M8 与 M5 ， M7 形成电流镜， M5 和 M7 为相应电路提供电流的大小由其与 M8 的宽长比的比值来决定。 三