关于电子元器件热阻的计算.docVIP

精品 Word 可修改 欢迎下载 最新 精品 Word 欢迎下载 可修改 精品 Word 可修改 欢迎下载 最新电子元器件热阻的计算 【概念解释】 ?Ta（Temperature Ambient-）环境温度 ?Tc（Temperature Case）外壳温度 ?Tj（Temperature Junction）节点温度 ?热阻Rja：芯片的热源结（junction）到周围冷却空气（ambient）的总热阻，乘以其发热量即获得器件温升。 ?热阻Rjc：芯片的热源结到封装外壳间的热阻，乘以发热量即获得结与壳的温差。 ?热阻Rjb：芯片的结与PCB板间的热阻，乘以通过单板导热的散热量即获得结与单板间的温差。 【电子元件热阻的计算】 ?通用公式：Tcmax =Tj - P*(Rjc+Rcs+Rsa) 【1】散热片（heat sink）足够大而且接触足够良好的情况下： ?????热阻公式?Tcmax =Tj - P*Rjc 【2】散热片（heat sink）不大或者接触足够一般/较差的情况下： ?????热阻公式?Tcmax =Tj - P*(Rjc+Rcs+Rsa) ?????其中，Rjc表示芯片内部至外壳的热阻，?Rcs表示外壳至散热片的热阻，?Rsa表示散热片的热阻. 【3】没有散热片情况下： ???（1）大功率半导体器件 ???热阻公式Tcmax =Tj - P*(Rjc+Rca)，其中，Rca表示外壳至空气的热阻。 ???（2）小功率半导体器件 ???热阻公式Tc =Tj - P*Rja，其中Rja:结到环境之间的热阻。 ???注意：厂家规格书一般会给出Rjc，P等参数。一般P是在25度时的功耗.当温度大于25度时，会有一个降额指标。 ?实例: （1）三极管2N5551（以下计算是在加有足够大的散热片而且接触足够良好的情况下） ????规格书中给出25度(Tc)时的功率是1.5W(P)，Rjc是83.3度/W。此代入公式有可以从中推出Tj为150度。芯片最高温度一般是不变的。所以有Tc=150-Ptc*83.3，其中Ptc表示温度为Tc时的功耗。假设管子的功耗为1W，那么，Tc=150-1*83.3=66.7度。注意，此管子25度(Tc)时的功率是1.5W，如果壳温高于25度，功率就要降额（降低使用功率）使用。规格书中给出的降额为12mW/度(0.012W/度)。我们可以用公式来验证这个结论.假设温度为Tc，那么，功率降额为0.012*(Tc-25).则此时最大总功耗为1.5-0.012*(Tc-25)。把此时的条件代入公式得出: Tc=150-(1.5-0.012*(Tc-25))×83.3，公式成立。 ????一般情况下没办法测Tj，可以经过测Tc的方法来估算Ttj，公式变为: Tj=Tc+P*Rjc?。　　 ????同样以2N5551为例。假设实际使用功率为1.2W，测得壳温为60度，那么此时已经超出了管子的最高结温150度了!按照降额0.012W/度的原则，60度时的降额为(60-25)×0.012=0.42W，1.5-0.42=1.08W。也就是说，壳温60度时功率必须小于1.08W，否则超出最高结温。 ????假设规格书没有给出Rjc的值：可以如此计算: Rjc=(Tj-Tc)/P，如果也没有给出Tj数据，那么一般硅管的Tj最大为150至175度。同样以2N5551为例.知道25度时的功率为1.5W，假设Tj为150，那么代入上面的公式: Rjc=(150-25)/1.5=83.3?如果Tj取175度则?Rjc=(175-25)/1.5=96.6?所以这个器件的Rjc在83.3至96.6之间。 ????如果厂家没有给出25度时的功率：那么可以自己加一定的功率加到使其壳温达到允许的最大壳温时，再把数据代入: Rjc=(Tjmax-Tcmax)/P?有给Tj最好，没有时，一般硅管的Tj取150度。　　 ????我们把半导体器件分为功率器件和小功率器件。　　 ?大功率半导体器件 大功率半导体器件的额定功率一般是指带散热器时的功率，散热器足够大时且散热良好时，可以认为其表面到环境之间的热阻为0，所以理想状态时壳温即等于环境温度。 功率器件由于采用了特殊的工艺，所以其最高允许结温有的可以达到175度.但是为了保险起见，一律可以按150度来计算.适用公式:Tc =Tj - P*Rjc。设计时，Tj最大值为150，Rjc已知，假设环境温度也确定，根据壳温即等于环境温度，那么此时允许的P也就随之确定。　 注：大功率半导体器件一般是指电压等级在1200V以上，电流在300A以上的开关器件，包括大功率二极管、晶闸管、GTO、IGBT、IGCT、ETO等，900V以上的mosfet也可称为大功率器件，但是要看相