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- 2021-06-08 发布于浙江
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存储器和阵列结构设计;12.1 引言;12.1.1 存储器分类;半导体存储器分类;12.1.2 存储器总体结构和单元模块;存储阵列;层次化的存储结构; ;存储器;存储器时序;12.2 存储器内核;12.2.1 只读存储器;思考题12.1 阵列
确定图12.10的中存放在地址0、1、2和3处的数据值
注意:图中如何使电源线在相邻单元之间共享而减少了它们的用量;思考题12.2 存储器阵列
确定图12.11的中存放在地址0、1、2和3处的数据值
;存储器编程;单元的大部分面积用于位线接触和接地连接
解决方案:采用不同的存储器结构;结构的主要优点;思考题12.3 和 的电压摆幅
假设图12.12和图12.14中的版图采用我们标准的0.25?m 工艺实现, 确定上拉器件的尺寸使最坏情况下?1.5V(2.5V)。这相当于字线摆幅为1V。确定8?8和512?512阵列的值
1.
因为每次最多只有一个晶体管可以导通,所以的值及阵列尺寸无关,也与阵列编程无关。
所要求的器件的尺寸()5.24
2.
由于是串联链, 的值与存储器尺寸(行数)及编程都有关
对于(8?8)阵列:=0.49
对于(512?512)阵列:=0.0077
所以, 很少用于8行或16行以上的阵列中;思考题12.4 字线和位线的寄生参数
考虑512?512阵列的情形
1.
字线寄生参数
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