《模拟电子技术》第1章1半导体器件基础0319二34节0321.pptxVIP

电子技术《模拟电子技术》《数字电子技术》《模拟电子技术》任课老师： 李赋进联系电话：_mail:mailto:fv1803@163.comfv1803@163.comQQ： 245603911第1章 半导体器件基础目录二、本征半导体一、物质分类（按导电性）1.1 半导体一、物质分类（按导电性） 1、 导体：导电性良好的物质。其原子的最外层电子（自由电子）受原子核的束缚力很弱，处于剧烈的无规则热运动状态，在外电场作用下极易产生定向移动，形成电流。如：铁、铝、铜等金属元素。 2、绝缘体：导电性极差的物质。其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，外力很难撼动。只有在外电场强大到相当程度时才可能导电（击穿：物质结构被破坏！）。如：惰性气体、橡胶、干燥的木材等。一、物质分类（按导电性） 3、半导体：导电性介于导体与绝缘体之间的物质。其原子的最外层电子受原子核的束缚力大小介于导体与绝缘体之间。其最外层电子受所属原子（核）的束缚力较小，受相邻原子核的作用力不可忽视被相邻原子所共有—称价电子形成共价键晶体结构。如：硅（Si）、锗（Ge）（均为四价元素：含四个价电子）无杂质结构稳定1.1.1 本征半导体本征半导体： 纯净晶体结构的半导体。GeSi本征半导体的结构特点半导体电子元件多用硅和锗为原料，它们的最外层电子（价电子）都是四个。将半导体制成“单晶硅”、“多晶硅”，作为半导体电子器件的制作材料。空穴空穴价电子惯性核四价元素：硅（Si）、锗（Ge）半导体中的可自由移动的电荷称为载流子（载荷电流的粒子）原子结构硅 锗自由电子硅(锗)的共价键结构+4+4+4+4简化模型(束缚电子)空穴-电子对总是成对出现称：本证激发空穴可在共价键内移动本征激发：空穴—电子对在室温或光照下，价电子获得足够能量，摆脱共价键的束缚，成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。本证激发：自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程。复 合：自由电子和空穴（电子空穴对）在电场作用下可以产生定向运动。漂 移：本征半导体有关概念、特点本征半导体: 纯净的半导体载流子: 自由运动的带电粒子共价键: 相邻原子共有价电子所形成的束缚“键”本征半导体有关概念、特点导电能力介于导体与绝缘体之间为什么？受热或被光照时,导电能力会有显著变化在纯净半导体（本征半导体）中加入微量元素导电能力会有显著变化问题本征半导体中空穴数量多？电子数量多？本征半导体带正电？带负电？+4+4+5+4+4+41.1.2 杂质半导体在本征半导体中参入高价元素1. N 型半导体N 型N型半导体中：电子为多数载流子空穴为少数载流子核外多一个：自由电子5价元素：磷原子（施主原子）正离子（原子核内多一个正电荷）载流子总数 ? 多数载流子数 ? 电子数+3+4+4+4+4+4在本征半导体中参入低价元素1. P 型半导体P 型P型半导体中：空穴 — 多子电子 — 少子3价元素：硼原子（受主原子）负离子（原子核内少一个正电荷）核外多一个：空穴载流子数 ? 多数载流子空穴数P区的多子空穴向N区扩散，留下负离子；N区的多子电子扩散到P区，留下正离子。空穴和电子在交界面复合1.1.3 PN 结及其单向导电性1. PN 结(PN Junction)的形成载流子的浓度差引起多子的扩散P区N区正离子-+负离子内建电场（势垒）复合使交界面形成空间电荷区(耗尽层) 空间电荷区特点:无载流子，内电场：阻止多子扩散，利于少子漂移。扩散和漂移达到动态平衡扩散电流 等于漂移电流， 总电流 I = 0。 PN结形成P 区N 区限流电阻IF2. PN 结的单向导电性— forward bias(1) 外加正向电压(正向偏置)扩散运动加强形成正向电流 IF-+外电场使多子扩散继续进行,在PN结交界面中和部分离子使空间电荷区变窄。内电场IF = I多子 ? I少子 ? I多子外电场极小漂移电流IRP 区N 区内电场外电场 — reverse bias (2) 外加反向电压(反向偏置)反向电压不利于多子扩散，有利于少子漂移，少子漂移空间电荷区变宽。数量极少的少数载流子漂移，形成极小的反向电流 IR 反向饱和电流IS：由于少子数量有限，反向电压大到一定程度时，不会再随着反向电压的升高而变大，此时的电流称：反向饱和电流IR = I少子 ? 0PN 结的单向导电性：正偏导通：电阻极小，电流较大;反偏截止：电阻极大，电流近似为零。1.2 晶体二极管1.2.1 晶体二极管的结构、符号、类型Dironde构成：PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode)1.2 晶体二极管1.2.1 晶体二极管的结构、符号、类型构成：PN 结 + 引