半导体物理基础知识教学PPT课件.ppt

Example 2.1 Application as a diode AND logic function : If input VA,VB,or both is 0V,the corresponding Diode will conduct,and the output voltage will be 0V.if both input are high,both diodes will be reverse biased ,and the output voltage will be high. Example 2.3 Example 2.3 2.3 Transfer Characteristic of Diode Circuits The transfer characteristic of a circuit is the relationship between the output voltage and the input voltage. 2.3 Transfer Characteristic of Diode Circuits 2.3 Transfer Characteristic of Diode Circuits 2.3 Transfer Characteristic of Diode Circuits 2.4 Practical Diodes 概 述 晶体二极管结构及电路符号： PN结正偏（P接+、N接-），D导通。 P N 正极 负极 晶体二极管的主要特性：单方向导电特性 PN结反偏（N接+、P接-） ，D截止。 即 主要用途：用于整流、开关、检波电路中。 半导体：导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。 2.4.1 半导体物理基础知识 硅 ( Si ) 、锗 ( Ge ) 原子结构及简化模型： +14 2 8 4 +32 2 8 4 18 +4 价电子 惯性核 硅和锗的单晶称为本征半导体。它们是制造半导体器件的基本材料。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 硅和锗共价键结构示意图： 共价键 2.4.2 本征半导体 (intrinsic) 当T升高或光线照射时 产生自由电子空穴对。 共价键具有很强的结合力。 当T=0K（无外界影 响）时，共价键中无自由移动的电子。 这种现象称 注意：空穴的出现是半导体区别于导体的重要特征。 本征激发。 本征激发 当原子中的价电子激发为自由电子时，原子中留下空位，同时原子因失去价电子而带正电。 当邻近原子中的价电子不断填补这些空位时形成一种运动，该运动可等效地看作是空穴的运动。 注意：空穴运动方向与价电子填补方向相反。 自由电子 — 带负电 半导体中有两种导电的载流子 空穴的运动 空 穴 — 带正电 (Hole) 自由电子（Electron) 温度一定时： 激发与复合在某一热平衡值上达到动态平衡。 热平衡载流子浓度 热平衡载流子浓度： 本征半导体中 本征激发——产生自由电子空穴对。 电子和空穴相遇释放能量——复合。 T 导电能力 ni 或光照 热敏特性 光敏特性 N型半导体： 2.4.3 杂质半导体 +4 +4 +5 +4 +4 简化模型： N型半导体 多子——自由电子 少子——空穴 自由电子 本征半导体中掺入少量五价元素构成。 (extrinsic) P型半导体 +4 +4 +3 +4 +4 简化模型： P型半导体 少子——自由电子 多子——空穴 空 穴 本征半导体中掺入少量三价元素构成。 杂质半导体中载流浓度计算 N型半导体 （质量作用定理） （电中性方程） P型半导体 杂质半导体呈电中性 少子浓度取决于温度。 多子浓度取决于掺杂浓度。 2.4.4 两种导电机理——漂移和扩散 载流子在电场作用下的运动运动称漂移运动，所形成的电流称漂移电流。 漂移与漂移电流 (drift current) 载流子在浓度差作用下的运动称扩散运动，所形成的电流称扩散电流。 扩散与扩散电流 N 型 硅 光照 n(x) p(x) 载流子浓度 x no po (Diffusion current) 2.5 PN结 利用掺杂工艺，把P型半导体和N型半导体在原子级上紧密结合，P区与N区的交界面就形成了PN结。 掺杂 N型 P型 PN结 (Junction) 2.5.1 动态平衡下的PN结 阻止多子扩散 出现内建电场 开始因浓度差 产生空间电荷区 引起多子扩散 利于少子漂移 最终达动态平衡 注意： PN结处于动态平衡时，扩散电流与漂移电流相抵消，通过PN结的电流为零。 PN结形成的物理过程 注意：掺杂浓度（Na、Nd）越大，内建电位差