第五章 存储器与存储器系统扩展.ppt

典型SRAM芯片 常用型号: 6116、 6264、 62128 、 62256, 容量为： 2K×8、8K×8、16K×8、32K×8; 地址线(条)： 11 数据线(条)： 8 13 8 14 8 15 8 典型SRAM芯片命名与容量之间有一定关系。 典型SRAM芯片引脚图 22 23 典型SRAM芯片引脚 1 引脚 操作方式 CE1 CE2 OE WE D0~D7 未选中 1 × × × 高阻 未选中 × 0 × × 高阻 输出禁止 0 1 1 1 高阻 读 0 1 0 1 输出 写 0 1 1 0 输入 写 0 1 0 0 输入 24 SRAM芯片操作逻辑 6264芯片的操作逻辑真值表 其中的×表示任意逻辑值 25 动态随机存取存储器(DRAM) DRAM基本结构与SRAM大致相同,由存储体、地址译 码器、控制逻辑和数据I/O缓冲器构成; DRAM与SRAM的信息存储原理不同; DRAM存储内容需要定期刷新; DRAM芯片为了减少封装引脚,地址输入采用行、列两 路复用锁存方式(相应增加行与列选通信号); IRAM是近年来出现的一种新型DRAM芯片,它克服了 DRAM需要外加刷新电路的缺点,内部含有动态刷新电 路,使之兼有SRAM和DRAM的优点。 26 内存条 SIMM(Single In-line Memory Module,单列直插式存储器 模块)内存条的接口标准有30线(9位数据)、72线(36位数据) 和100线(72位数据); DIMM(Dual In-line Memory Module,双列直插式存储器模 块)内存条的接口标准有168线、184线和200线; FPM DRAM(Fast Page Mode DRAM,快速页面模式内存) 是把连续的内存块以页的形式来处理; EDO DRAM(Extended Data Out DRAM,扩展数据输出内 存); BEDO DRAM(Burst EDO DRAM,突发式EDO内存); SDRAM(Synchronous DRAM,同步DRAM); Rambus DRAM、DDR DRAM。 27 只读存储器ROM 在微机系统运行过程中只能对其进行读操作,而不能 进行写操作的一类存储器称为只读存储器。 只读存储器分类: 掩模ROM ——出厂前写入，不能修改 可编程ROM(PROM)——用户写入，不能修改 可擦除可编程ROM(EPROM)——紫外线擦除 电可擦除可编程ROM(EEPROM)——电擦除 闪速存储器(Flash ROM)。 28 EPROM存储器 EPROM内部结构与SRAM非常相似,仍然由存储矩阵、 地址译码器、控制逻辑与三态数据缓冲器等组成。 常用EPROM与常用SRAM相比,引脚中没有写允许信 号。 计算机应用系统设计时,不考虑EPROM 的编程电路, 由专用编程器编程。 EPROM输出过程与SRAM输出过程完全相同,写时序 实际上是指编程时序。 29 典型EPROM引脚图 引脚信号仍然包括由地址输入、数据输入/输出与控制 等构成; 与SRAM相比,EPROM增加了编程电压Vpp输入引脚。 工作方式 引脚名称 CE OE PGM VPP VCC D0~D7 读出 0 0 1 +5V +5V 输出 未选中 1 × × +5V +5V 高阻 编程 0 1 负脉冲 +21V +5V 输入 编程校验 0 0 1 +21V +5V 输出 编程禁止 1 × × +21V +5V 高阻 编程禁止 × × 1 +21V +5V 高阻 30 EPROM芯片2764的操作 2764的操作逻辑真值表 编程脉冲输入 第三节 存储器系统的结构 本章内容 容量扩展: 位数扩展与字数扩展; 多存储体主存结构。 31 32 位数的扩展 问题的提出: CPU存储空间结构(容量×单元位数)要求; 半导体存储器结构(芯片单元数×每单元位数) 位数的扩展方法 —— 采用芯片并联法 D7 1 M×1位构成1M×8位的存储器模块结构图 33 D2 D1 D0 位数扩展举例 例1、1 M×1位芯片构成1M×8位的存储器模块。 扩展方法如下图所示(可用于8088系统)。 A19～A0 CE A19～A0 1M×1(0#) WE I/O CE A19～A0 1M×1(1#) WE I/O CE A19～A0 1M×1(2#) WE I/O CE A19～A0 1M×1(7#) WE I/O 1 IO/M D7～D0 WR CE A9～A0 2114(1#) WE I