超全数电和模电知识点.docx

学习必备佳构知识点模电温习资料第一章半导体二极管一. 半导体得根底知识1. 半导体--- 导电本领介于导体与绝缘体之间得物质( 如硅 Si 、锗 Ge)；2. 特性 --- 光敏、热敏与掺杂特性；3. 学习必备 佳构知识点 模电温习资料 第一章 半导体二极管 一. 半导体得根底知识 1. 半导体 --- 导电本领介于导体与绝缘体之间得物质 ( 如硅 Si 、锗 Ge)； 2. 特性 --- 光敏、热敏与掺杂特性； 3. 本征半导体 ---- 纯洁得具有单晶体布局得半导体； 4. 两种载流子 ---- 带有正、负电荷得可移动得空穴与电子统称为载流子； 5. 杂质半导体 -- 在本征半导体中掺入微量杂质形成得半导体；表达得为半导体得掺杂特性； *P 型半导体 : *N 型半导体 : 在本征半导体中掺入微量得三价元素〔多子为空穴，少子为电子〕 在本征半导体中掺入微量得五价元素〔多子为电子，少子为空穴〕 ； ； 6. 杂质半导体得特性 * 载流子得浓度 --- 多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关； * 体电阻 --- 通常把杂质半导体自身得电阻称为体电阻； * 转型 --- 通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为别的一种杂质半导体； 7. PN 结 * PN 结得打仗电位差 * PN 结得单领导电性 8. PN 结得伏安特性 --- 硅质料约为 0.6~0.8V ，锗质料约为 0.2~0.3V ； --- 正偏导通，反偏停止； 二. * * * * 半导体二极管 单领导电性 ------ 二极管伏安特性 正领导通，反向停止； 同ＰＮ结； 硅管 0.6~0.7V ，锗管 0.2~0.3V ； ---- 正领导通压降 ------ 死区电压 ------ 硅管 0.5V ，锗管 0.1V ； 3. 阐发要领 ------ 将二极管断开，阐发二极管两头电位得上下 : 设 V 阳 V 阴( 正偏 ) ，二极管导通 ( 短路 ); 设 V 阳 V 阴 ( 反偏 ) ，二极管停止 ( 开路 ) ； 1〕图解阐发法 该式与伏安特性曲线 得交点叫静态事情点 Q； 第 1 页，共 26 页 学习必备佳构知识点2) 等效电路法直流等效电路法* 总得解题本领---- 将二极管断开，阐发二极管两头电位得上下:设设V 阳V 学习必备 佳构知识点 2) 等效电路法 直流等效电路法 * 总得解题本领 ---- 将二极管断开，阐发二极管两头电位得上下 : 设 设 V 阳 V 阳 阴 ( 正偏 阴 ( 反偏 ) ，二极管导通 ) ，二极管停止 ( 短路 ); ( 开路 ) ； V V * 三种模子 微变等效电路法 三. 稳压二极管及其稳压电路 * 稳压二极管得特性 向毗连； --- 正常事情时处在 PN结得反向击穿区，以是稳压二极管在电路中要反 第二章 三极管得布局、范例及特点 三极管及其根本放大电路 一. 1. 范例 2. 特点 --- 分为 NPN与 PNP两种； --- 基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区打仗 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区打仗面积较大； 二. 三极管得事情原理 1. 三极管得三种根本组态 第 2 页，共 26 页 学习必备佳构知识点2. 三极管内各极电流得分派* 共发射极电放逐大系数说明三极管为电流控制器件(式子称为穿透电流；3. 共射电路得特性曲线* 输入特性曲线 --- 同二极管；* 输出特性曲线( 学习必备 佳构知识点 2. 三极管内各极电流得分派 * 共发射极电放逐大系数 说明三极管为电流控制器件 ( 式子 称为穿透电流； 3. 共射电路得特性曲线 * 输入特性曲线 --- 同二极管； * 输出特性曲线 ( 饱与管压降，用 UCES表现 放大区 停止区 --- 发射结正偏，集电结反偏； --- 发射结反偏，集电结反偏； 4. 温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动； 温度升高 I CBO、 CEO 、 I I C以及 β 均增长； 三. 低频小信号等效模子〔简化〕 hie --- 输出端交换短路时得输入电阻， 常用 r be 表现； hfe --- 输出端交换短路时得正向电传播输比， 常用 β 表现； 四. 根本放大电路构成及其原就 1. VT 、 VCC、 Rb、 Rc 、 C1、 C2 得作用； 2. 构成原就 ---- 能放大、不失真、能传输； 五. 放大电路得图解阐发法 1. 直流畅路与静态阐发 * 观点 --- * 画法 --- * 作用 --- 直流电流畅得回路； 电容视为开路； 确定静态事情点 * 直流负载线 --- 由 VCC=I CRC+UCE 确定得直线； * 电路参数对静态事情点得影响 第 3