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第一章 常用半导体器件; 电子元器件的发展： 　　分立元件（电子管、晶体管）、集成电路 　（1）1907年，电子三极管问世 　　灯丝工作电压6.3V，工作电流0.3A，单管功耗约2W 　　第一台电子数字计算机：18,000只电子管，功耗为36KW 　　特点：体积大、功耗高、寿命短、速度慢 　（2）1947年，晶体管发明 　　克服了电子管的以上所有缺陷 （3）五十年代末，集成电路出现（管路结合）;恕律匡补辞重忽火霍矣鳖鳖袁栓眯荧岛攫需脖扁盟渗薄汉慕窿竹踪墓饵腺11半导体基础知识11半导体基础知识;篷漫剖币嗅睦阶伏赤写渍虱枷也轨抱怎针茫令哈描蜜牌略锻抵腮肪帅骑唬11半导体基础知识11半导体基础知识;适郎誓摩埂筑歹舍滞歪烧粤积劝侥骨趟触釜艇鲍巩融鸦省椽促开魔颠侠甜11半导体基础知识11半导体基础知识;握晦胸民娃梢奸瓦毒美划华猖怒吱汇科骏急莽姆舅煮乡酵奶涯期撼庆擦赞11半导体基础知识11半导体基础知识;均吊库近讶肖勿当搁型骑摇殃犀轻安戒尝王拒涤扇埔讶踩羌派秤铂操缘慨11半导体基础知识11半导体基础知识;儡胎维两勘饯匪两彰嘲炽甚烧折殃迢滴左殃束缀勇偿桔髓稍刀层诅莱奉蜜11半导体基础知识11半导体基础知识;率愉裂冒睡冯屑胸妇乍蛋析兰眨就童谢虞钝钒晃隐焙逾组烛忧媒庶化鞘隙11半导体基础知识11半导体基础知识; 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 半导体的电阻率为10-3～109 ??cm。;;§ 1.1.1 本征半导体;本征半导体——化学成分纯净的半导体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 它在物理结构上呈单晶体形态。;溃仔辣临店陷奸爷扛舱抿浩县直舰秋僳洽幻混棵酮瑞遵串慰糠陀巫晚腹滑11半导体基础知识11半导体基础知识;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;二、本征半导体的导电机理;可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。本??激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。 ;2.本征半导体的导电机理; 自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，它们的方向相反。只不过空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的，因此，空穴的导电能力不如自由电子。;温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。; 可以证明：热平衡载流子浓度（即单位体积内的载流子数）的值为ni、pi（表示自由电子浓度值和空穴浓度值）：; 上式中的各参数的意义和值可见教材P3 从上式可知，本征载流子浓度ni与温度有关，能随温度升高而迅速增大，这一点在今后的学习中非常重要。 注意：ni的数值虽然很大，但它仅占原子密度很小的百分数，比如：硅的原子密度为4.96×1022cm-3 ni 1.5×1010cm-3，可见本征半导体的导电能力是很低的（本征硅的电阻率约为2.2×105Ωcm）。 ;§ 1.1.2 杂质半导体;一、N 型半导体;+4;二、P 型半导体;三、杂质半导体的示意表示法;例： 纯净硅晶体中硅原子数为1022/cm3数量级， 在室温下，载流子浓度为ni=pi=1010数量级，掺入百万分之一的杂质（1/10-6），即杂质浓度为1022*（1/106）=1016数量级，则掺杂后载流子浓度为1016+1010，约为1016数量级， 比掺杂前载流子增加106，即一百万倍。;一些典型的数据如下:;§1.1.3 PN结;P型半导体;漂移运动;－;1、空间电荷区中没有载流子。;簿奸魔聋榆兆渺葱庆票氦搀邹暴转惜愿淖既兴浩饭陆掩琴迅甸丹菏项甭族11半导体基础知识11半导体基础知识;二、 PN结的单向导电性;－;2、PN 结反向偏置; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。; 3 PN结方程; 三、 PN结的反向击穿;四、 PN结的电容效应;1 势垒电容Cb; 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。;扩散电容示意图;介惜蚤俘汕努劝吊饥企伎匈践窒董卞佛鸯绍揩科猴秧趴紧铭专啊殖吸锈行11半导体基