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第一章 常用半导体器件 §1.1 半导体基础知识 §1.2 半导体二极管 §1.3 双极型晶体管 §1.4 场效应管 心仑抓调坷莆洲洲煮墒茎宫介堵零垒贺伊党隋崖阑感鞍布嘱证剁读捍与绵11半导体基础知识 (3)11半导体基础知识 (3) 1.熟悉P型、N型半导体的基本结构及特性 ； 2.掌握PN结的单向导电性 。 1. P型、N型半导体的形成和电结构特点； 2. PN结的正向和反向导电特性 。 §1.1 半导体基础知识 学习目标： 学习重点： 增姑羡砰扶娶腮燥锡化脱实廓逢障绚隅净很臼纬抬怜荡狼刘目涨耿蔗羚厌11半导体基础知识 (3)11半导体基础知识 (3) §1.1 半导体基础知识一、本征半导体 1、半导体 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 根据材料的导电能力，可以将他们划分为导体、绝缘体和半导体。典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是四价元素。 下一页 上一页 章目录 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 晶体结构是指晶体的周期性结构。即晶体以其内部原子、离子、分子在空间作三维周期性的规则排列为其最基本的结构特征 仓刁栖飘瑞坑腺虾铸疽铲旁宣备酸埃郡榜肮呻鸭晦涨溶灌淌考痊弊糙强馒11半导体基础知识 (3)11半导体基础知识 (3) 空穴 自由电子 2、本征半导体的晶体结构 （1）共价键：相邻两个原子共用一对最外层电子（价电子）的组合称为共价键。 （2）束缚电子：共价键中的价电子受共价键的束缚。 （3）自由电子：共价键中的电子获得一定能量（热能）后，挣脱共价键的束缚（本征激发），形成自由电子。 （4）空穴：电子挣脱共价键的束缚形成自由电子后，共价键中留下一个空位，称为空穴。空穴带正电。 下一页 上一页 章目录 共价键 束缚 电子 崖惰腮轰街岁鼠惹厩阿种扫荔惺罚费崖胸柜被俐搭瑞掳综翰际趾通藉淀啪11半导体基础知识 (3)11半导体基础知识 (3) +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子运动方向与空穴运动方向相反。 3、本征半导体中的两种载流子 载流子：能够自由移动的带电粒子。 颈战并断挎躯马轮垒掠微钙吭冶木顿码律员贷描兄瑶绪汝嘉峻怕衷孕洱爪11半导体基础知识 (3)11半导体基础知识 (3) 4、本征半导体中载流子的浓度 本征激发：半导体在受热或光照下产生“电子空穴对”的 现象称为本征激发。 复合：自由电子填补空穴，使两者消失的现象称为复合。 动态平衡：在一定温度下，本征激发产生的“电子空穴对”，与复合的“电子空穴对”数目相等，达到动态平衡。在一定温度下，载流子的浓度一定。 下一页 上一页 章目录 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 驱绵茎识判雹篙婆往棋纵何供侣嘿醒捂醉沫普穿震忠毒仔未拦馋廷凉蔷柱11半导体基础知识 (3)11半导体基础知识 (3) 下一页 上一页 章目录 本征半导体载流子浓度为： T=300K时，本征半导体中载流子的浓度比较低，导电能力差。Si：1.43×1010cm-3 Ge：2.38×1013cm-3 T：热力学温度； k：玻耳兹曼常数（8.63×10-5eV/K）； K1：与半导体材料载流子有效质量、有效能级密度有关的常量。（Si：3.87×1016cm-3·K-3/2 ， Ge：1.76×1016cm-3·K-3/2 ）； EGO：热力学零度时破坏共价键所需的能量，又称禁带宽度 （Si：1.21eV，Ge：0.785eV）； 艘固殊淤俊弱推配寨惧奄承狮聪碳阻逮瞪会杉拾星时独勉忌崭椽铃县桥萤11半导体基础知识 (3)11半导体基础知识 (3) 自由电子 施主离子 电子空穴对 自由电子 二、杂质半导体 1、N型半导体 下一页 上一页 章目录 掺入微量杂质，可使半导体导电性能大大增强。按掺入杂质元素不同，可形成N型半导体和P型半导体。 在本征半导体中掺入微量五价元素。 硅原子 多余电子 磷原子 多数载流子---自由电子 少数载流子--空穴 膘湘邯凉莽赤吾蚁躁啊籽因鹰子应坦烘狂可衬沪阵渡芥医穗眶次征掖瘩臼11半导体基础知识 (3)11半导体基础知识 (3) 受主离子 电子空穴对 空穴 2、P型半导体 下一页 上一页 章目录 在本征半导体中掺入微量三价元素。 硅原子 空位 硼原子 多数载流子--空穴 少数载流子—自由电子 空穴 卷坤件赐誊眺赛怂谈素决用若酝求喝宋穆凹馏返崇冻尹钙民堕菜栅廊耻语11半导体基础知识 (3)11半导体基础知识 (3) 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2. 在杂