半导体物理课件硅和锗的能带结构.pptVIP

1.6 硅和锗的能带结构 一、导带结构 Si的导带底在△ 轴[100]上，与Γ点相距约为Γ点与Χ点距离的0.85 处，共有6 个等效能谷，等能面是以△ 轴为旋转轴的旋转椭球面。 Ge 的导带底在Λ轴[111]上的L 点，在简约布里渊区，有8 个半球，共计4 个整球，等能面是以Λ轴为旋转轴的旋转椭球面。 二、价带结构 Si、Ge的价带顶都位于Γ 点，等能面是扭曲的球面。通常我们仍可将它们近似为一个球形。Si、Ge 的价带顶是简并的，k=0,布里渊区中心，能带是三度简并的。若考虑自旋－轨道耦合，消除部分简并。一般只考虑价带顶附近两只简并带。 由于两个简并的价带的曲率不同， 所以有效质量亦不同，有效质量小的称之为轻空穴mpl*，有效质量大的称为重空穴mph*. 重空穴带的各向异性比轻空穴带更明显。 硅和锗的禁带宽度随温度变化 Eg(T) = Eg(0) –αT2/(T+β) 硅：α = 4.73×10-4eV/K; β=636K 锗：α = 4.774×10-4eV/K; β=235K 三、 Gel-xSix 混合晶体的能带 Si、Ge都是间接带隙材料，Gel-xSix 的禁带宽度随成分x 的变化如图所示： 原因：随成分x 增大，Λ轴导带极值与△ 轴导带极值以不同速率相对价带顶上升，Λ轴导带极小值上升较快，造成转折。能带结构由类锗转变为类硅型。 1.7 化合物半导体的能带结构 砷化镓的能带结构 GaAs的导带底位于Γ 点，其导带底附近的等能面是球形的，其价带在Γ 点简并，具有一个重空穴带和一个轻空穴带； 1. III-V族化合物半导体 GaAs 的导带在Λ 轴上L 点，还存在一个能谷，此能谷与带底能量差为0.29eV，在强场的作用下，电子能量较高时，可能会占据到此能谷的能级上，产生所谓电子转移效应。由于L 谷的能带曲率小，故有效质量比导带底要大很多，电子转移L谷后，在电场中的运动速度要下降。 这将导致高场下，负微分电导现象. 锑化铟的能带结构 导带极小值在 k=0处, 球形等能面, mn*=0.0135 m0 非抛物线型 价带包含三个能带：重空穴带V1 轻空穴带V2 能带V3（L-S耦合） 20K时 轻空穴有效质量 0.016m0 沿[111] 0.44m0 沿[110] 0.42m0 沿[100] 0.32m0 重空穴有效质量 价带顶在k=0 III-V 族能带结构的主要特征 价带在布里渊区中心简并，一重空穴带、轻空穴带及第三个能带（L－S） 价带极大值稍偏离布里渊区中心 导带极小值在[100]、[111]方向和布里渊区中心 ?平均原子序数高的化合物，导带电子的有效质量小。 ?重空穴有效质量相差很少 ?原子序数较高的化合物，禁带宽度较窄 III－V族混合晶体的能带结构 GaAs1-xPx的Eg与组分的关系 连续固溶体 混合晶体 能带结构随成分的 变化而连续变化 Ga1-xInxP1-yAsy 的禁带 宽度随 x、y 的变化 Al1-xGaxAs1-ySby 的禁带 宽度随 x、y 的变化 间接带隙 混合晶体的 Eg 随组分变化的特性 发光器件 GaAs1-xPx 发光二极管 x=0.38~0.40时，Eg=1.84~1.94 eV 电－空复合发出 640 ~ 680 nm红光 激光器件 Ga1-xInxP1-yAsy 长波长激光器 调节 x、y 组分可获得1.3~1.6?m 红外光 2. II－VI族化合物半导体的能带结构 二元化合物的能带结构 导带极小值和价带极大值位于 k=0 价带包含三个能带：重空穴带V1 轻空穴带V2 能带V3（L-S耦合） 禁带宽度较宽 碲化镉的能带 室温下， Eg ~ 1.50 eV 8