半导体器件与工艺光刻.pptxVIP

半导体器件与工艺第八章 光 刻哈尔滨工程大学微电子学引言 光刻工艺是半导体工艺过程中非常重要的一道工序，它是用来在晶圆表面建立图形的工艺过程。这个工艺过程的目标有两个。首先是在晶圆表面建立尽可能接近设计规则中所要求尺寸的图形；第二个目标是在晶圆表面正确定位图形。整个电路图形必须被正确地定位于晶圆表面，电路图形上单独的每一部分之间的相对位置也必须是正确的。最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶圆表面一层一层叠加建立起来的。因为在光刻工艺过程中的每一步都会有变化，所以对特征图形尺寸和缺陷水平的控制是很难的。光刻操作步骤的数目之多和光刻工艺层的数量之大，可看出光刻工艺在半导体工艺过程中是一个主要的缺陷来源。 引言 光刻工艺概述 光刻工艺是一种多步骤的图形转移过程。首先是在掩膜版上形成所需要的图形，之后通过光刻工艺把所需要的图形转移到晶圆表面的每一层。 图形转移是通过两步来完成的。首先，图形被转移到光刻胶层。光刻胶是一种感光物质。曝光后会导致它自身性质和结构的变化。光刻胶被曝光的部分由可溶性物质变成了非溶性物质。这种光刻胶类型被称为负胶，这种化学变化称为聚合。通过化学溶剂（显影剂）把可以溶解的部分去掉，在光刻胶层就会留下一个孔，这个孔就是和掩膜版不透光的部分相对应的。 光刻蚀工艺概述 第二次图形转移是从光刻胶层到晶圆层。当刻蚀剂把晶圆表面没有被光刻胶盖住的部分去掉的时候，图形转