03微电子芯片技术.pptxVIP

复习1，评断集成电路的发展状况的几个指标：1）所能加工的最小线宽；2）晶片直径；3）DRAM（动态随机存储器）所储存的容量。复习1，小尺寸器件会带来哪些问题，如何解决？ 器件尺寸缩小，导致短沟道效应 。 〉〉多晶硅栅极由单掺杂发展为双掺杂 。 带来pMOS中B的渗透问题 。〉〉SiNxOy能有效克服。较大介电常数，低漏电密度和高抗老化击穿。 器件尺寸进一步缩小，导致栅绝缘介质隧穿电流的出现。〉〉高K栅介质材料以增加栅介质厚度。复习3 微电子芯片最重要的CMOS结构中，各功能部分所用材料 。1）衬底材料：单晶硅片；衬底材料是制备微电子元件的基础。2）栅极结构：由多晶硅或其它难熔硅化物来制备。3）npn晶体管：由源极，漏极和栅极组成。是集成电路中最重要的器件，可以实现基本的逻辑功能；4）浅槽隔离：一般通过离子刻蚀来制备沟槽，然后覆盖一层热氧化层SiO2。主要功能是隔开相邻的晶体管；5）绝缘介质层：一般由SiO2来制备。栅绝缘介质层和栅电极一起对源极和漏极之间的沟道起控制作用；6）源极或漏极：一般由Al和Cu等金属来制备，要求其和芯片能够形成欧姆接触，有小的串联电阻。复习4，高，低介电常数介质材料的定义与功用。1）介电常数k比Si3N4(k7)大的材料称为高介电常数材料。随着特性尺寸的减少，需要用合适的高介电常数材料传统的电容介质材料二氧化硅以减少介质层厚度增加电容。大k值介电材料可以用于制造非易失铁电随机存取存储器(FeRAM),如钛锆铅(PZT)或钽锶铋(SBT)。2） k值比SiO2（k3.9）小的材料称为低介电常数材料。使用低介电常数材料替代传统的绝缘材料二氧化硅，使得连线之间难于传递电压；诺贝尔物理奖2012年●法国物理学家塞尔日·阿罗什●美国物理学家戴维·瓦恩兰，以表彰他们在量子物理学方面的卓越研究。瓦恩兰困住带电原子或离子，通过光或光子来控制和测量它们；而阿罗什却让原子通过一个陷阱，从而控制和测量被困光子和光的粒子。2011年●美国天体物理学家萨尔·波尔马特 ●美国/澳大利亚物理学家布莱恩·施密特 ●美国科学家亚当·里斯。通过观测遥远超新星发现宇宙的加速膨胀。2010年●英国科学家安德烈·海姆●康斯坦丁·诺沃肖洛夫。在石墨烯材料方面进行卓越研究。2009年●英国华裔科学家高锟。光学通信方面取得突破性成就。●美国科学家威拉德·博伊尔和乔治·史密斯。发明半导体成像器件电荷耦合器件(CCD)2008年●美国科学家南部阳一郎。发现次原子物理的对称性自发破缺机制。●日本科学家小林诚、利川敏英。发现对称性破缺的来源。2007年●法国科学家阿尔贝·费尔●德国科学家彼得·格林贝格尔。发现“巨磁电阻”效应§2. 微电子芯片技术发展对材料的需求§2.1 概述§2.2 衬底材料§2.3 栅结构材料§2.4 存储电容材料§2.5 局域互连材料§2.6 金属互连材料§2.7 钝化材料信息功能材料 §2. 微电子芯片技术发展对材料的需求 §2.4 存储电容材料/半导体存储器半导体存储器有两大体系： 易失性存储器，例如SRAM和DRAM，在没有电源的情况下都不能保存数据。但拥有高性能，易用等优点。 非易失性存储器，像EPROM,EEPROM和FLASH，能在断电后仍保存数据。但由于所有这些存储器均起源自只读存储器(ROM)技术, 所以它们都有不易写入的缺点。PROM：可编程存储器。EPROM：紫外线擦除的可编程只读存储器。这种芯片可以擦除的次数有限。FLASH：闪速存储器，它和EPROM类似，写上去的东西也可以擦掉重写，但它要方便一些，不需要光照了，只要用电学方法就可以擦除，所以就方便许多，而且寿命也很长。信息功能材料 §2. 微电子芯片技术发展对材料的需求 §2.4 存储电容材料/半导体存储器U盘是USB盘的简称，采用Flash芯片存储的，Flash芯片属于电擦写电门。在通电以后改变状态，不通电就固定状态。所以断电以后资料能够保存。 1999年朗科研发出全球第一款USB闪存盘，成功启动了全球闪存盘行业。 与传统的电磁存储技术相比有许多优点: 存储信息的过程中没有机械运动,这使得它的运行非常的稳定。 不存在类似软盘,硬盘,光盘等的高速旋转的盘片,所以它的体积往往可以做得很小。朗科公司“用于数据处理系统的快闪电子式外存储方法及其装置”（专利号：ZL 99 1 17225.6；美国专利号US6829672。）信息功能材料 §2. 微电子芯片技术发展对材料的需求 §2.4 存储电容材料 SiO2是传统的电容介质材料（dielectric） DRAM(Dynamic Random-Access Memory)动态随机存储器电容绝缘介质层材料； 高介电常数的氧化物铁电材料NVFRAM(Non-Volatile Random Access Memory)非挥