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第四章 习题解答 4-1 如题 4-1 图所示 MOSFET转移特性曲线， 说明各属于何种沟道？若是增强型， 开启电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？ 答：（ a）P-EMOSFET ，开启电压 VGS th 2V （ b） P-DMOSFET，夹断电压 VGS Off （或统称为开启电压 VGS th ) 2V （ c）P-EMOSFET，开启电压 VGS th 4V （ d） N-DMOSFET ，夹断电压 VGS Off （或也称为开启电压 VGS th ) 4V 4-2 4 个 FET 的转移特性分别如题 4-2 图(a)、 (b)、(c)、(d)所示。设漏极电流 iD 的实际方向为正，试问它们各属于哪些类型的  FET？分别指出  iD 的实际方向 是流进还是流出？ 答：（ a）P-JFET， iD  的实际方向为从漏极流出。 b） N-DMOSFET ， i D 的实际方向为从漏极流进。 c）P-DMOSFET ， i D 的实际方向为从漏极流出。 d） N-EMOSFET， i D 的实际方向为从漏极流进。 4-3 已知 N 沟道 EMOSFET 的 μnCox=100μA/V 2，V GS(th)=0.8V，W/L=10 ，求下 列情况下的漏极电流： （a） V GS ， V DS =1V ； （ ） V GS ， V DS ； =5V