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什么叫“相干散射” 、“非相干散射” 、“荧光辐射” 、“吸收限” 、“俄歇效应”？ 答： ⑴ 当χ射线经过物质时，物质原子的电子在电磁场的作用下将产生受迫振动，受迫振动产 生交变电磁场，其频次与入射线的频次相同，这种由于散射线与入射线的波长和频次一致， 位相固定，在相同方向上各散射波切合相干条件，故称为 相干散射。 ⑵ 当χ射线经束缚力不大的电子或自由电子散射后，能够得到波长比入射χ射线长的χ射 线，且波长随散射方向不同而改变，这种散射现象称为 非相干散射。 ⑶ 一个具有足够能量的χ射线光子从原子内部打出一个 K 电子，当外层电子来填充 K 空位 时，将向外辐射 K 系χ射线，这种由χ射线光子激发原子所发生的辐射过程， 称荧光辐射。 或二次荧光。 ⑷ 指χ射线经过物质光阴子的能量大于或等于使物质原子激发的能量，如入射光子的能量 必须等于或大于将 K 电子从无穷远移至 K 层时所作的功 W，称此时的光子波长λ 称为 K系的 吸收限。 ⑸ 当原子中 K 层的一个电子被打出后，它就处于 K 激发状态，其能量为 Ek 。如果一个 L 层 电子来填充这个空位， K 电离就变成了 L 电离， 其能由 Ek 变成 El ，此时将释 Ek-El 的能量， 可能产生荧光χ射线， 也可能赐予 L 层的电子， 使其脱离原子产生二次电离。 即 K 层的一个 空位被 L 层的两个空位所替代，这种现象称 俄歇效应。 产生 X 射线需具备什么条件？ 答：实考证实 : 在高真空中，凡高速运动的电子遇到任何障碍物时，均能产生 X 射线，关于 其他带电的基本粒子也有近似现象发生。 电子式 X 射线管中产生 X 射线的条件可概括为： 1， 以某种方式得到一定量的自由电子； 2， 在高真空中，在高压电场的作用下迫使这些电子作定向高速运动； 3， 在电子运动路径上设障碍物以急剧改变电子的运动速度。 3. 连续谱是怎样产生的？其短波限 hc 1 . 24 10 2 与某物质的吸收 0 V eV 限 hc 1 .24 10 2 k V k 有何不同（ V 和 VK 以 kv 为单位）？ eV k 答 当ⅹ射线管两极间加高压时， 大量电子在高压电场的作用下， 以极高的速度向阳极轰击， 由于阳极的阻挡作用， 电子将产生极大的负加速度。 根据经典物理学的理论， 一个带负电荷 的电子作加速运动时， 电子周围的电磁场将发生急剧变化， 此时必定要产生一个电磁波， 或 起码一个电磁脉冲。 由于极大数量的电子射到阳极上的时间和条件不可能相同， 因而得到的 电磁波将具有连续的各样波长，形成连续ⅹ射线谱。 在极限情况下， 极少数的电子在一次碰撞中将全部能量一次性转变为一个光量子， 这个 光量子便具有最高能量和最短的波长， 即短波限。 连续谱短波限只与管压相关， 当固定管压， 增加管电流或改变靶时短波限不变。 原子系统中的电子遵照泡利不相容原理不连续地散布在 K,L,M,N 等不同能级的壳层上， 当外来的高速粒子 （电子或光子） 的动能足够大时， 能够将壳层中某个电子击出原子系统之 外，进而使原子处于激发态。这时所需的能量即为吸收限，它只与壳层能量相关。 即吸收限 只与靶的原子序数相关，与管电压无关。 1 4、试简要总结由剖析简单点阵到复杂点阵衍射强度的整个思路和要点。 答 : 在进行晶体构造剖析时 , 重要的是把握两类信息 , 第一类是衍射方向 , 即 θ 角, 它在 λ 一定的情况下取决于晶面间距 d。衍射方向反应了晶胞的大小和形状因素 , 能够利用布拉 格方程来描绘。第二类为衍射强度 , 它反应的是原子种类及其在晶胞中的位置。 简单点阵只由一种原子组成， 每个晶胞只有一个原子， 它散布在晶胞的顶角上， 单位晶 胞的散射强度相当于一个原子的散射强度。复杂点阵晶胞中含有 n 个相同或不同种类的原 子，它们除占有单胞的顶角外，还可能出现在体心、面心或其他位置。 复杂点阵的衍射波振幅应为单胞中各原子的散射振幅的合成。由于衍射线的相互干 涉，某些方向的强度将会加强， 而某些方向的强度将会减弱甚至消失。 这样就推导出复杂点 阵的衍射规律——称为系统消光（或构造消光） 。 5、计算构造因数时，基点的选择原则是什么 ?如计算面心立方点阵，选择 (0 ，0， 0) 、（ 1， 1， 0）、 (0 ， 1，0) 与 (1 ， 0， 0) 四个原子是否能够，为什么 ? 答: 基点的选择原则是每个基点能代表一个独立的简单点阵， 所以在面心立方点阵中选择 (0 ，0， 0) 、（ 1， 1， 0）、 (0 ， 1， 0) 与(1 ， 0，0) 四个原子作基点是不能够的。因为这 4 点是一个独 立的简单立方点阵。 6、粉末样品颗粒过大或过小对德拜花式影