半导体物理第七章参考答案.pdfVIP

下载本文档

372
0
约8.27千字
约 7页
2021-07-12 发布于湖北
举报
版权申诉

半导体物理第七章参考答案.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

半导体物理第七章参考答案 1. 设  ，分别画出n-Si 衬底的MOS 电容（p-MOS ）分别在平衡、平带、 M S 积累、耗尽、反型情形的能带图，即理想的高频和低频CV 曲线，并画出相应的等效电路图答：平衡时平带时积累时耗尽时弱反时强反时理想的高频和低频CV 曲线等效电路图 2. 设氧化层厚度为 1m 的 Si MOS 结构的 p 型衬底的掺杂浓度分别为 N ＝ 15 3 16 3 10 /cm 和10 /cm ，比较这两种结构的耗尽层电容和MOS 电容的极小值。答：1) 耗尽层电容由耗尽层厚度决定，而耗尽层厚度与Si 表面势有关，根据耗尽层厚度、表面势，可求得耗尽层电容为： d Qd   qN  C Si a = Si d d 2 W s s d 又由MOS 电容为氧化层电容与耗尽层电容串联而成： 1 1 1  C C C ox d 以及栅压方程： 2 qN  V V Si a s  g fb C s ox 消去表面势，可得： s C C ox  2  1 2C V V   qN   ox g fb Si a  显然，相同氧化层厚度，即相同氧化层电容，相同栅压下，衬底掺杂浓度高的 MOS 结构耗尽层电容大。 C 2) 由C ox 知：  2  1 2C V V   qN   ox g fb Si a  MOS 电容的极小值出现在强反型时，此时耗尽层厚度最大，表面势为：