北大半导体器件物理课件第四章3阈值电压.pdfVIP

半导体器件物理 VBS=0时的阈值电压 • 基本关系： – V = ϕ + ϕ + Φ 或V = ϕ + ϕ + Φ GB OX S MS GB OX S SS – 电荷守恒：Q +Q +Q +Q = 0 G BM OX n – QG = COX ϕOX – V =0时MOS达到强反型的条件：V = 2 Φ BS sinv F • 利用上述关系式，推导出VBS=0 时的阈值电 压： Q V (V 0) V +2φ − BM T BS FB F C ox 半导体器件物理 VBS≠0时的阈值电压 • 衬偏调制系数 γ – 定量描述衬偏调制电压对器件阈值电压的改变量 dV V ( ) T BS γ ≡ 1 d ⎡⎣(2φF −VBS )2 ⎤⎦ V V V 0 =+γ 2φ −V − 2φ ( ) ( ) ( ) T BS T F BS F – 实际电路中，不希望VT 受到VBS的影响（电路的稳定 性），因此，应尽量从设计上降低衬偏调制系数 – 为了获得设计者要求的阈值电压，并尽可能降低衬偏 调制系数，可采用离子注入调整阈值电压 半导体器件物理 离子注入调整阈值电压 • 离子注入的作用 – 解决阈值电压V 与衬偏调制系数γ 之间的矛盾。 T – 工艺步骤中的热氧化过程会使Si表面的电阻率发生 变化，影响到器件性能，这也可以通过离子注入来 调整。 • 计算离子注入后的MOSFET的阈值电压 – nMOSFET：向p型衬底注入硼离子调整阈值电 压，热处理后，将形成一维高斯分布。 – 直接用高斯分布来推导阈值电压比较麻烦，可以将 其简化成理想的阶梯分布来处理。 半导体器件物理 离子注入调整阈值电压 D ：注入剂量 I NA(x)：实际分布 NA ：原始衬底掺杂 ds ：阶梯的深度（注入深度） • 根据注入深度ds 的不同，分三种情况来分析： – 浅注入ds xdm – 深注入ds