北大半导体器件物理课件第四章7MOSFET击穿特性.pdfVIP

半导体器件物理 MOSFET （六） 半导体器件物理 MOSFET击穿特性 • MOSFET的电击穿包括漏源击穿和栅源 击穿。 • 漏源击穿根据沟道长度、导电类型以及 衬底掺杂浓度的不同，可分为： – 栅调制击穿， – 沟道雪崩倍增， – 寄生npn-BJT击穿， – 源漏穿通 半导体器件物理 栅调制击穿 • 考虑长沟MOSFET，当漏源电压增加到反偏的漏衬结的雪崩 倍增击穿电压时，漏极电流会随电压的增加而急剧上升，器 件击穿 • 由于受到栅极的影响，击穿特性与普通的pn结的雪崩倍增击 穿有所不同 •左图：长沟nMOST截止状 态电场分布图 • 由于栅电极的作用,在漏- 衬冶金结与Si/SiO2界面相交 处形成了一个电场最强的区 域：转角区 •雪崩击穿首先发生在转角区 半导体器件物理 栅调制击穿 • 截止状态的 nMOSFET，|VGS|增大 BVDS下降 • 导通状态的nMOST， SiO2层中的场强线改变 方向,与反偏漏-衬pn结 的场强线起抵消作用， 抑制了击穿,导通状态的 nMOST，VGS增大 BVDS上升 半导体器件物理 沟道雪崩倍增击穿 • 特点： • VGS ≥VT 时,软击穿，VGS增加,击穿电压BVDS下降 • V V 时，硬击穿 GS T 半导体器件物理 沟道雪崩倍增击穿 • 发生电流倍增的区域： – 在电流流动的路径上，靠近漏-衬pn结冶金结处电场最 强。当VDS增加时，首先会在这里发生碰撞电离，使沟 道电流倍增，发生击穿。引发倍增的电流是源极电流IS – 转角区由于场强线的畸变，电场强度很大，导致雪崩 倍增。转角区引发倍增的电流是漏衬pn结的反向饱和 电流IDO • 同时考虑沟道倍增和转角区击穿，漏极电流： I = M*I + MI D S DO • M*—沟道倍增系数； M—转角区倍增系数 半导体器件物理 沟道雪崩倍增击穿 • 当V V 时，MOSFET截止，I ≈0，击穿由 GS T S 转角区倍增决定，即栅调制击穿 • VGS VT 时，MOSFET导通， IS IDO ，决 定击穿的机构是沟道雪崩倍增 V 增大I 增大BV 下降 GS