阻变随机存储器RRAM综述自己整理.docVIP

. . . -可修编. 目 录 引言……………………………………………………………………………………1 1RRAM技术回忆………………………………………………………………………1 2RRAM工作机制及原理探究…………………………………………………………4 2.1RRAM根本构造………………………………………………………………4 2.2 RRAM器件参数………………………………………………………………6 2.3RRAM的阻变行为分类………………………………………………………7 2.4阻变机制分类………………………………………………………………9 …………………………………………11 ………………………………………………15 …………………………………………………19 ………………………………………………23 ………………………………………………24 ……………………………………………………26 ……………………………………………………28 2.5RRAM与忆阻器……………………………………………………………30 3RRAM研究现状与前景展望………………………………………………………33 参考文献……………………………………………………………………………36 - - - -优质- 阻变随机存储器〔RRAM〕 引言： 阻变随机存储器〔RRAM〕是一种基于阻值变化来记录存储数据信息的非易失性存储器〔NVM〕器件。近年来， NVM器件由于其高密度、高速度和低功耗的特点，在存储器的开展当中占据着越来越重要的地位。硅基flash存储器作为传统的NVM器件，已被广泛投入到可移动存储器的应用当中。但是，工作寿命、读写速度的缺乏，写操作中的高电压及尺寸无法继续缩小等瓶颈已经从多方面限制了flash存储器的进一步开展。作为替代，多种新兴器件作为下一代NVM器件得到了业界广泛的关注[1、2]，这其中包括铁电随机存储器〔FeRAM〕[3]、磁性随机存储器〔MRAM〕 [4]、相变随机存储器〔PRAM〕[5]等。然而，FeRAM及MRAM在尺寸进一步缩小方面都存在着困难。在这样的情况下， RRAM器件因其具有相当可观的微缩化前景，在近些年已引起了广泛的研发热潮。本文将着眼于RRAM的开展历史、工作原理、研究现状及应用前景入手，对RRAM进展广泛而概括性地介绍。 1 RRAM技术回忆 虽然RRAM于近几年成为存储器技术研究的热点，但事实上对阻变现象的研究工作在很久之前便已开展起来。1962年，T. W. Hickmott通过研究Al/SiO/Au、Al/Al2O3/Au、Ta/Ta2O5/Au、Zr/ZrO2/Au以及Ti/TiO2/Au等构造的电流电压特性曲线，首次展示了这种基于金属-介质层-金属(MIM)治构造在偏压变化时发生的阻变现象[6]。如图1所示，Hickmott着重研究了基于Al2O3介质层的阻变现象，通过将阻变现象与空间电荷限制电流理论、介质层击穿理论、氧空洞迁移理论等进展结合，尝试解释了金属氧化物介质层阻变现象的机理。虽然在这篇文献报道中，最大的开关电流比只有30:1，但本次报道开创了对阻变机理研究的先河，为之后的RRAM技术研发奠定了根底。 图1. T. W. Hickmott报道的基于Al/Al2O3/Au构造的电流-电压曲线，其中氧化层的厚度为300?，阻变发生在5V左右，开关电流比约10:1[6] Hickmott对阻变现象的首次报道立刻引发了广泛的兴趣，之后在十九世纪60年代到80年代涌现了大量的研究工作，对阻变的机理展开了广泛的研究。除了最广泛报道的金属氧化物，基于金属硫化物[7]、无定形硅[8]、导电聚合物[9]、异质构造[10]等新材料作为介质层的构造也表现出了阻变性质。这些研究工作也很快被总结归纳[11、12]。早期的研究工作主要是对于阻变的本质和机理进展探究，以及对阻变机理应用于RRAM技术的展望。但此时半导体产业对新型NVM器件的研究尚未引起广泛重视，并且在对阻变现象的解释过程中遇到了很多困难，没有方法达成广泛的共识，故而在80年代末期，对阻变的研究一度趋于平淡。90年代末期，摩尔定律的开展规律开场受到物理瓶颈的限制，传统硅器件