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ESD / EOS概念
?c提要
.
ESD简述
静电学和ESD基本原理 失效模式和机理 控制和避免ESD
静电荷测量/ESD工具
ESD防控产品
ESD防护的基本要求
EOS基本原理,如何避免 问答题
ESD简述
V ESD简述
■一 .— . ? ?随着半导体工艺技术的进步,制造出的芯片几何尺 寸和线宽越来越小,而脚位却越来越多,这使得IC 更加容易受ESD问题的影响.
?发展到如今的低电导封装技术却没有相应的提高 芯片的本征电阻以应对键合产生的高频ESD脉冲.
?没有考虑材料类型的自动化系统的应用最终导致 器件的失效.
V
V ESD简述
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V
V ESD简述
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产品失效(较低可靠性) 高退货率(高成本)
ESD在电子工业化的今天已经变成一个非常严 重的问题,它可以引起:
客户抱怨
利润降低
实际上,从元件的制造,使用到维修的任一环节都有可能发生 静电损害.
L元件制造过程
包含制造,切割、接线、印刷电路板装配过程 包含收货、验收、储存、设备制造过程包含电路板验收、储存、4 ,设
包含制造,切割、接线、
印刷电路板装配过程 包含收货、验收、储存、
设备制造过程
包含电路板验收、储存、
4 ,设备使用过程 包含收货、安装、试验、
5.设备维修过程
检验到交货.
插入、焊接、
装配、品管、
till
V
使用及保养。
品管、包装到出货.
出货。
?在这整个过程中,每一个阶段中的每一个小步骤,都可能 使元件遭受静电的影响,而实际上,最主要而又容易疏忽 的一点却是在元件的传送与运输的过程.在这整个过程 中,不但包装因移动容易产生静电外,而且整个包装容易 暴露在外界电场(如经过高压设备附近,工人移动频繁、 车辆迅速移动等)而受到破坏,所以传送与运输过程需要 特别注意以减少损,避免无谓之纠纷?
?为了使ESD损害降到最低,有关组织制定了元件级、系统 级、工厂级ESD防护设计的要求、指导原则.
?各用户据此制定静电放电控制大纲及生产中静电防护技术 措施与管理要求-
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静电学和ESD基本原理
V ESD概念
.
? ESD代表
E-Electro、
S-Static
D-Discharge,
电荷瞬间从一个物体转移到另一个物体上.
V ESD概念
ESD事件是物体表面的静电荷转移,该表面处于不 同的静电电位.
电荷转移
电荷转移
-5KV-2KV-5KV
-5KV
-2KV
-5KV
一些ESD实例:
闪电
在干燥天气时,你触摸另一个人产生的电击感 觉。
在铺有地毯的地板上行走后,手接触金属门把 手产生的电击。
.c材料的分类:
等级 特性
导体 一种容易将静电导入地
下的材料
一种慢慢将静电导入地 静电耗散材料下的材料
防静电材料 一种实际上不产生静电
的材料
绝缘体 一种不能将静电导入地
表面电阻率106Q/
表面电阻率
106Q/每平方单位
1。6 ~ 109 Q/每平方单位
1。9~ 1014Q/每平方单位
1014Q/每平方单位
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V电荷的概念
?所有的材料都包含原子.原子是材料组成的最小单 位,原子包括电子、质子和中子.原子的电荷是通 过得失电子来实现的.
质子-附在核子上的 正电荷颗粒电子??在原子上的负电荷颗粒, 围绕核子旋转.
质子-附在核子上的 正电荷颗粒
电子??在原子上的负电荷颗粒, 围绕核子旋转.
核子-位于原子中心的 中性部分,不带电荷.
e电荷的概念
:质子数目=电子数目匚〉电中性 ?质子数目〉电子数目匚$正电性 ?质子数目〈电子数目匚。负电性
Trlboelectric Charging at the Afomtc Level
FLOURIHE. Balanced Atom: 9 Protons. 9 ElectronsFLOURINE Charged atom, excosw of Electrons.: 9 Protons 10 ElectronsoLITHIUMPositively Charged atom,feflclencyof Electrons:3 Protons. 2 Eiec!ron?
FLOURIHE. Balanced Atom: 9 Protons. 9 Electrons
FLOURINE Charged atom, excosw of Electrons.: 9 Protons 10 Electrons
o
LITHIUMPositively Charged atom,feflclencyof Electrons:3
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