第三讲体硅加工.pdfVIP

. 第四讲：体硅加工―― 1 多晶硅有很多优点，也有非常系统深入的研究积累，但是， 人们经常费力地刻蚀单晶硅以获得硅膜： 选择单晶硅作为 MEMS的结构材料的主要因素： 1． 基于 IC 技术的基础，硅提供了集成制造的可能性 2 ． 对单晶硅各种性质特别是物理特性的研究非常透彻 3 ． 硅相关的技术和设备可以借用 IC 工业的积累 4 ． 没有那一种高纯度的单晶材料能够拥有像硅材料这样 高的性价比，并且可以大批量廉价提供。 5 ． 单晶硅的许多重要特性非常适合作为微结构材料。 除了 精细结构成型加工特性之外， 它的机械特性、 压阻效应、 结构稳定性等也是吸引人的优点 600 度以下不会蠕变， 除非破裂， 否则会回复固有形状。 硅的物理特性 单晶晶体结构 立方晶体， 金刚石结构 比重 2.3g/cm 2 断裂强度 1000Mpa 屈服强度 100-200Mpa 弹性模量 160Gpa 压阻系数 -120 ～ 120 热导率 150WM/K 精品 . 热膨胀系数 2.5x10 -6 /k 关于脆裂（ breaking ），由于单晶硅晶体的完整性，一旦有 任何细微裂纹产生，就没有制约的因素存在（比如晶界） ， 在张力作用下迅速扩展，故单晶硅的断裂是它的缺点之一。 因此， 即使是表面细微的损伤也会显著改变断裂强度的测试 结果。 硅的压阻系数与多种因素有关，主要有掺杂水平、温度、晶 格取向和电流相对于张力的走向， 系数可以在＋ 120 到－ 120 之间变化，一般金属该数值约为 2 。 压阻效应相当灵敏，成为许多物理传感器检测信号的基础。 热传导系数与一般金属相当，考虑到微结构一般尺寸比较 小，多数情况下足以承担散热的重任。 为什么还要研究硅的微机械加工技术？ 半导体工艺虽然对硅相关的基本性质和微细加工技术已经 有了透彻的认识，但是与 MEMS的要求尚有比较大的差距， 主要表现在纵身方向大加工深度上，在半导体工艺中，即使 是最深的隔离工艺，其加工深度也不会超过 10 微米，绝大 多数在 1 微米之内，但是 MEMS结构很多情况下加工深度与 宽度相仿，相当一部分要求高深宽比结构，而且这些结构还 要沟通不同的结构层次，是半导体加工难以实现的，所以必 须开展针对性的研究。 精品 . 体硅加工的本质就是有选择地去掉部分硅材料， 使留下的硅 结构满足器件构造的需求 体硅加工的硅微结构，基本的形式有以下几种： 精品 . 各向同性刻蚀