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半导体材料的基本特性参数基本特性参数禁带宽度Eg临界雪崩击穿电场强度Et介电常数ε载流子饱和速度Vs载流子迁移率μ载流子密度n(p)少数载流子寿命τ第一节 迁移率迁移率的定义载流子迁移率与器件特性载流子迁移率的影响因素载流子迁移率的定义载流子迁移率μ: 自由载流子在单位电场作用下的平均漂移速度。 弱电场下，μ为常数； 强电场下，μ随电场增加而减小载流子迁移率与器件特性载流子迁移率μ是决定半导体材料电阻率ρ大小的两个重要参数之一。电流承受能力和载流子迁移率有关 双极器件pn 结二极管为例，在外加电压U作用下，电流密度j满足肖克莱方程载流子迁移率与扩散系数的关系 爱因斯坦关系在确定温度下，扩散系数的大小有迁移率唯一决定载流子迁移率与器件的工作频率 双极晶体管频率响应特性最重要的限制，是少数载流子渡越基区的时间载流子迁移率大小的影响因素散射对载流子的迁移率具有重要影响 主要的散射机构有：晶格振动散射、电离杂质散射、载流子之间的散射等体材料中载流子散射以及表面散射晶格振动的散射 用电子和声子相互作用来描述。 在轻参杂时，占主导地位。 载流子被晶格散射过程，可以是吸收或发射声学声子，也可以是吸收或发射光学声子。两个常用的经验公式 电子迁移率： 空穴迁移率：电离杂质的散射 半导体的杂质，电离后以静电力对运动于附近的电子和空穴产生散射作用。低温重掺杂时起主要作用 完全由电离杂质散射