集成电路制造工艺及设备.pptxVIP

复 习 1. 高温氧化工艺 1.1 硅的热氧化 硅的热氧化是指在高温下，硅片表面同氧气或水进行反应，生成SiO2 。 硅的热氧化有：干氧、湿氧、水汽氧化三种。 如果氧化前已存在厚度为 t0 的氧化层，则（3-11）微分方程的解为：（tOX ：是总的氧化层厚度） （4- 12） 式中 在各种工艺条件下，参数A和B都是已知的，t 是氧化时间。τ 是一个时间参数，单位是小时（h）。 （3- 13） 1.2 硅热氧化的厚度计算 3.2 热氧化原理和方法 O2 扩散 反应 SiO2 Si Si + O2 = SiO2 硅的热氧化分干氧和湿氧两种。干氧是在高温下氧分子与硅表面的原子反应生成SiO2 。 1.3 不同的热氧化方式生长的 SiO2 膜性质比较 ● 干氧氧化的 SiO2 膜结构致密，干燥、均匀 性和重复性好、掩蔽能力强、钝化效果好， 与光刻胶的接触良好，光刻时不易浮胶。 ● 水汽氧化的 SiO2 膜结构疏松，表面有斑点 和缺陷，含水量多，对杂质的掩蔽能力差， 所以在工艺中很少单独采用。 ● 湿氧氧化生长的膜致密性略差于干氧生长的 SiO2 膜，但它具有生长速率快的优点，其掩蔽能力和钝化效果都能满足一般器件的要求。其缺点是表面有硅烷醇存在，使 SiO2 膜与光刻胶接触不良，光刻时容易浮胶。同时，湿氧氧化后的 Si 片表面存在较多的位错和腐蚀坑。 在实际工艺应用中，生长高质量的几百Å 的SiO2薄膜一般采用干氧的方式。 SiO2薄膜厚度需要几千Å以上时，一般采用干氧—湿氧—干氧的方式，既保证了所需的厚度，缩短了氧化时间，又改善了表面的完整性和解决了光刻时的浮胶问题。 ●热氧化生长的SiO2薄膜质量好，但是反应温度比较高。衬底只能用于单晶硅表面。 ● 离子注入可以通过分别调节注入离子的能量、数量，精确地控制掺杂的深度和浓度，所以可以制备理想的杂质分布。 离子注入的优点 2. 离子注入 ● 扩散法掺杂时受到化学结合力、扩散系数及 固溶度等方面的限制，而离子注入是一个物 理过程，所以它可以注入各种元素。 ● 扩散法是在高温下掺杂，离子注入法掺杂一 般在室温下进行（也可以在加温或低温下进 行）。 ● 离子注入法可以做到高纯度的掺杂，避免有 害物质进入硅片。 ● 热扩散时只能采用SiO2 等少数耐高温的介质 进行局部掺杂，但是离子注入法可以采用光 刻胶作为掩蔽膜，进行局部注入掺杂。 ● 热扩散时，杂质在纵向扩散的同时进行横向 扩散，两者几乎一样，而离子注入的横向扩 散很小。 在离子注入机中，利用电流积分仪测量注入的离子总数N： 式中：NS 单位面积的注入剂量（个/cm2 ），S 是扫描面积（cm2 ），q 是一个离子的电荷（1.6×10-19库仑），Q 是注入到靶中的总电荷量（库仑），i是注入的束流（安培），t 是注入时间（秒）。 电流积分仪 （6 - 8） 如果束流是稳定的电流I，则： （6 - 9） （6 - 10） 其中：NS 单位面积的注入剂量（个/cm2 ），S 是扫描面积（cm2 ），q 是一个离子的电荷（1.6×10-19库仑），I 是注入的束流（安培），t 是注入时间（秒）。 例题：如果注入剂量是5×1015，束流1mA，求注入一片6英寸硅片的时间 t=（1.6×10-19×5×1015× 3.14×7.52）/ 1× 10-3 =141秒 根据公式（4-6） 注入剂量、标准偏差和峰值浓度之间的近似关系： （6 - 14） 对于原来原子排列有序的晶体，由于离子注入，在晶体中将大量产生缺陷，如空位等。对于高能、大剂量的重离子注入到硅单晶中，如As+，将使局部晶体变成非晶体。 离子注入的损伤和退火效应 注入的离子在硅单晶中往往处于间隙位置，一般不能提供导电性能，因此，必须要使注入的杂质原子转入替位位置以实现电激活。 注入离子的激活 离子注入后的热退火 高能粒子撞击硅片表面，造成晶格损伤，因此为了消除离子注入造成的损伤和激活注入的杂质离子，离子注入后必须要进行热退火。最常用的是在950℃高温炉中在氮气保护下，退火15～ 30分钟。热退火后对杂质分布将产生影响，LSS理论的射程RP和标准偏差ΔRp 要作修正。 光刻胶应该具有以下基本性能： 灵敏度高；分辨率高；同衬底有很好的粘附性，胶膜表面沾性小；胶膜致密性好，无针孔；图形边缘陡直，无锯齿状；显影后留膜