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北京师范大学实验报告变温霍尔效应1 北京师范大学实验报告变温霍尔效应1 摘要：本实验采用范德堡测试方法，通过控温的方式测量了碲镉汞单晶样品的霍耳系数随 温度的变化，得到并分析了实验与理论对比的ln R H - 迁移率的比值作了估算。 ?曲线，还对电子迁移率与空穴T ?? 关键词：霍耳效应，霍耳系数，半导体，载流子，控温，变温测量。 对通电的导体或半导体施加一与电流方向垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上有一横向电位差出现，这个现象于1879年为物理学家霍尔所发现，故称为霍尔效应。在20世纪的前半个世纪，霍尔系数及电阻率的测量一直推动着固体导电理论的发展，特别是在半导体纯度以及杂质种类的一种有力手段，也可用于研究半导体材料电输运特征，至今仍然是半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试手法。在本实验中，采用范德堡测试方法，测量样品霍尔系数随温度的变化。 霍尔效应是一种电流磁效应，如图1所示： 图 1霍耳效应示意图 当样品通以电流I ，并加一磁场垂直于电流，则在样品的两侧产生一个霍尔电位差： U H =R H U H 与样品厚度d 成反比，与磁感应强度B 和电流I 成正比。比例系数R H 叫做霍尔系数。 霍尔电位差是洛伦兹力和电场力对载流子共同作用产生的结果。 2、一种载流子导电的霍尔系数 P 型半导体：R H = H μ?p N 型半导体：R H =- （2） ??pq ? ?μn ?pq 式中n 和p 分别表示电子和空穴的浓度，q 为电子电荷，μn 和μp 分别是电子和空穴的电导迁移率，μH 为霍尔迁移率，μH =R H σ（σ为电导率）。 3、两种载流子导电的霍尔系数 假设载流子服从经典的统计规律，在球形等能面上，只考虑晶体散射及弱磁场 cm 2V S )B μμ B 10（，为迁移率，单位为，的单位为T ）的条件下，对于电子和 空穴混合导电的半导体，可以证明： 3πp -nb 2 R H = （4） 2 8(p +nb ) 其中b =μn 4、P 型半导体的变温霍耳系数 P 型半导体与N 型半导体的霍耳系数随时间变化曲线对比如图2所示；其中曲线中各 区间的物理意义将在后面结合本实验得到的曲线具体分析。 图2 P 型半导体和N 型半导体的ln R H -曲线 5、范德堡尔法测量任意形状薄片的电阻率及霍耳系数 范德堡法可应用于厚度均匀的任意形状的片状样品。在样品侧面制作四个电极M 、N 、O 、P 。在电阻率测量中，一对相邻的电极用来通入电流，在另一对电极之间测量电位差。利用M 、P 和M 、N 通入电流分别 作两次测量，得到 电阻率可由下式给出 式中f 是比值 R mp , op 的函数，由下式确定 范得堡法也可用于作霍尔效应的测量。一对不相邻的电极，例如M 、O 用来通入电流，另外一对电极P 、N 用来测量电位差。霍尔系数由下式给出 式中B 为垂直于样品的磁感应强度值。?V pn 代表加磁场后P 、N 之间电位差的变化。 6、实验中的副效应及其消除方法 考虑各种副效应，每一次测量的电压是霍耳电压与各种副效应附加电压的叠加，即 U H 1=U H 实+E E +E N +E RL +?E 表示实际的霍耳电压， E E 、E N 和E RL 分别表示爱廷豪森效应、能斯特效应、 和里纪－勒杜克效应产生的附加电位差，?E 表示四个电极偏离正交对称分布产生的附加电位差。 设改变电流方向后的测得电压为电流方向后的测得电压为 U H 2，再改变磁场方向后的测得电压为U H 3，再改变 U H 4，则有 ?U H 2=-U H 实-E E +E N +E RL -?E ? ?U H 3=U H 实+E E -E N -E RL -?E ?U =-U -E -E -E +?E E N RL H 实?H 4 (U H 1-U H 2+U H 3-U H 4)=U H 实+E E ，由于E E 与霍耳电压一样既与电流方向有4 关由于磁场方向有关，因此范德堡法测量霍耳系数不能消除爱廷豪森效应，即所测得到的所谓的“霍耳电压”实际上包括了真实的霍耳电压和爱廷豪森效应的附加电压，即 (U H 1-U H 2+U H 3-U H 4)=U H 实+E E （11） 4 霍耳系数可由下面的公式（12）计算得出： （12）