光刻工复习题.pdf

理论部分 填空题 1、 光刻中使用的两种主要的光刻胶分别为 正光刻胶 和 负光刻胶 2、 在硅片表面上涂上液体光刻胶来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是旋转 涂胶。有四个步骤：分滴， 旋转分开，旋转甩掉， 溶剂挥发。 3、 曝光的方式有 接触式 、接近式曝光和 投影式曝光。 4 、 光刻中有使用不同紫外光波长， 波长在 436 纳米和 157 纳米之间的每种波长 都有各自的波名称。其中波长为 436nm 的波名称是 g 光线 ，波长为 405nm 的波 名称是 h 光线 ，波长为 365nm 的波名称是 i 光线 ，波长为 248nm 的波名称 是深紫外 (DUV) ，波长为 157nm 的波名称是 真空紫外 (VUV) 1、 曝光的方式有接触式曝光、 接近式曝光 和 投影式曝光 2. 光刻工艺一般都要经过涂胶， 前烘 、曝光、 显影 ，坚膜、腐蚀、去胶等步骤。 3.正性光刻胶和负性光刻胶是两种主要的光刻胶。对于负性光刻胶，曝光部分 不会溶解 ，在光刻胶中形成的图形与掩膜板的图形 相反 对于正性光刻胶，曝光 部分 容易溶解 ，在光刻胶中形成的图形与掩膜板的图形 相同 。 4.刻蚀的方法主要有 湿法刻蚀 、干法刻蚀和和 等离子体 。 5、 光刻工艺一般都要经过涂胶、 前烘 、曝光、 显影 、坚膜、腐蚀、去胶等步骤。 一、 判断题 1． 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。 （ F ） 2 ． 步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。 （ F ） 3． 光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例 如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。 （T ） 4 ． 曝光后烘焙，简称后烘，其对传统 I 线光刻胶是必需的。 （T ） 5． 对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。 （T ） 6 ． 芯片上的物理尺寸特征被称为关键尺寸，即 CD 。（T ） 7． 光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。 （T ） 8． 有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。 （T ） 1． 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。 （ F ） 2 ． 步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。 （ F ） 3． 光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例 如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。 （T ） 4 ． 曝光后烘焙，简称后烘，其对传统 I 线光刻胶是必需的。 （T ） 5． 对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。 （T ） 6 ． 芯片上的物理尺寸特征被称为关键尺寸，即 CD 。（T ） 7． 光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。 （T ） 8． 有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。 （T ） 简答题 1、 给出光刻胶在晶圆制造中的两个用途 答： (1) 将掩模板图案转移到晶圆表面顶层的光刻胶中。 (2) 在后续