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电子制造技术基础 总结课 主 要 内 容 电子制造概述 芯片设计与制造技术 元器件的互连封装技术 无源元件制造技术 微机电系统工艺技术 封装基板技术 电子组装技术 封装材料 微电子制造设备 第一章 电子制造概述 广义的电子制造包括电子产品从市场分析、经营决策、工程设计、加工装配、质量控制、销售运输直至售后服务的全过程。 狭义的电子制造，是指电子产品从硅片开始到产品系统的物理实现过程。 本课程讲述的主要内容属于狭义的电子制造。 单晶硅片 晶片 元器件 板卡 产品系统 半导体工艺 引线键合TAB 倒装芯片 通孔安装 表面安装 接插、导线连接等 前道工序 后道工序 电子封装 电子封装是指从电路设计的完成开始， 根据电路图，将裸芯片、陶瓷、金属、 有机物等物质制造成芯片、元件、板卡、 电路板，最终组装成电子产品的整个过程。 主要是在后道工序中完成。 半导体制造 封装所实现的功能 封装的目的：保护芯片不受或少受外界环境的影响，并为之提 供一个良好的工作条件，以使集成电路具有稳定、正常的功能。 水汽、杂质、化学物质等 对封装功能大体要求？ 良好的电气性能 封装实现的功能： 1、提供给晶片电流通路，传递电能 2、引入或引出晶片上的信号 3、提供散热途径；4、保护和支撑晶片。 散热性能 化学的稳定性 一定的机械强度 第一章 电子制造概述 技术的层次（共4层）： Level 0 (晶片级的连接) 芯片上元器件间的连线工艺 Level 1：单晶片或多个晶片组件或元件； Level 2：印制电路板级别的封装； Level 3：整机的组装。 封装技术 第一章 电子制造概述 硅片 Level 0 晶片级互连 Level 1 Level 2 Level 1 多晶片互连 Level 3 Level 3 第一章 电子制造概述 90年代: PGA（Pin Grid Array）针栅阵列封装、 BGA（Ball Grid Array）球栅阵列封装、 µBGA =CSP（Chip Size Package）芯片尺寸封装 60年代：TO（Transistor Outline） 70年代：DIP 80年代： LCCC（Leadless Ceramic Chip Carrier）无引线陶瓷芯片载体 PLCC（Plastic Leaded Chip Carrier）塑料短引线芯片载体 SOP、QFP、PQFP（ Plastic Quad Flat Packages） SMT（Surface Mount Package）表面贴装技术 芯片封装的演变 芯片封装的演变图 第一章 电子制造概述 集成电路发展的主要表现 1、芯片尺寸越来越大。2、工作频率越来越高。 3、发热量日趋最大。 4、引脚越来越多。 对封装技术的要求： 1、小型化。 2、能适应高发热。 3、集成度提高，并适应大芯片要求。4、高密度化。 5、能适应多引脚。 6、能适应高温环境。 7、具高可靠性。 8、考虑环保要求。 集成电路工艺的发展 第一章 电子制造概述 集成电路飞速发展的一个很重要的原因就是制造工艺一直以惊人的速度在发展。特征尺寸和晶圆片的尺寸是衡量集成电路工艺水平的关键指标。 特征尺寸通常指集成电路中半导体器件的最小尺度，如MOS晶体管的栅极长度。 它是衡量集成电路制造和设计水平的重要尺度。特征尺寸越小，芯片的集成度越高、速度越快、性能越好。 IC界的黄金定律：摩尔定律 第一章 电子制造概述 1965年4月，仙童半导体公司的戈登·摩尔（Gorden Moore）在《电子学》杂志上发表文章预言：集成电路芯片上集成的晶体管数量将每年翻一番。 1975年，摩尔又在国际电信联盟的学术年会上提交了一篇论文，根据当时的实际情况把增长率修正为每两年翻一番。 第二章 集成电路物理基础 什么是半导体？ 按固体的导电能力区分，可以区分为导体、半导体和绝缘体. 表2.1 导体、半导体和绝缘体的电阻率范围 半导体的重要特性： 温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降. 微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力. 适当波长的光照可以改变半导体的导电能力. 半导体的导电能力还随电场、磁场等的作用而改变. 半导体的晶体结构 一、晶体的基本知识 长期以来将固体分为：晶体和非晶体。 晶体的基本特点： 具有一定的外形和固定的熔点，组成晶体的原子（或离子）在较大的范围内（至少是微米量级）是按一定的方式有规则的排列而成——长程有序。（如Si，Ge，GaAs） 晶体又可分为：单晶和多晶。 单晶：指整个晶体主要由原子(或离子)的一种规则排列方式所贯穿。常用的半导体材料锗(Ge)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)都是单晶。 多晶：是由大