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第一章 半导体器件基础1.1 半导体的基本知识1.2 半导体二极管1.3 半导体三极管1.4 BJT模型1.5 场效应管锗原子硅原子1.1 半导体的基本知识 在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。一. 本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 本征半导体的共价键结构在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。束缚电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。空穴 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。自由电子 这一现象称为本征激发，也称热激发。 可见本征激发同时产生电子空穴对。 外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。+4+4+4+4+4+4空穴自由电子+4+4+4硅：电子空穴对的浓度锗：与本征激发相反的现象——复合在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。常温300K时：电子空穴对E－＋+4+4+4自由电子+4+4+4+4+4+4载流子导电机制自由电子 带负电荷 电子流＋总电流空穴 带正电荷 空穴流本征半导体的导电性取决于外加能量：温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。二. 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半导体称为杂质半导体。1. N型半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，砷等，称为N型半导体。 N型半导体++++++++++++N型半导体硅原子电子空穴对自由电子多余电子磷原子施主离子多数载流子——自由电子少数载流子—— 空穴P型半导体－－－－－－－－－－－－2. P型半导体 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。电子空穴对硅原子空穴空穴硼原子受主离子多数载流子—— 空穴少数载流子——自由电子N型半导体P型半导体++++－－－－++++－－－－++++－－－－杂质半导体的示意图多子—电子多子—空穴少子—电子少子—空穴少子浓度——与温度有关多子浓度——与温度无关内电场E三. PN结及其单向导电性 1 . PN结的形成 ?因多子浓度差?多子的扩散?空间电荷区 PN结合?阻止多子扩散，促使少子漂移。?形成内电场空间电荷区耗尽层多子扩散电流少子漂移电流补充耗尽层失去的多子，耗尽层窄，E少子飘移多子扩散 又失去多子，耗尽层宽，E内电场E耗尽层多子扩散电流少子漂移电流硅 0.5V势垒 UO锗 0.1V file:///C:/Documents%20and%20Settings/xiaofei/%E6%A1%8C%E9%9D%A2/%E5%8F%98%E9%A2%91%E5%99%A8%E7%9A%84%E5%AD%A6%E4%B9%A0/1-3.AVI动画演示动态平衡：扩散电流 ＝ 漂移电流总电流＝0正向电流2. PN结的单向导电性 (1) 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动＞漂移运动→多子扩散形成正向电流I FPN(2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区 外电场的方向与内电场方向相同。 外电场加强内电场→耗尽层变宽→漂移运动＞扩散运动→少子漂移形成反向电流I R 在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是一定的，故IR基本上与外加反压的大小无关，所以称为反向饱和电流。但IR与温度有关。 PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。3. PN结的伏安特性曲线及表达式 根据理论推导，PN结的伏安特性曲线如图IF（多子扩散）反向饱和电流正偏反向击穿电压反偏反向击穿IR（少子漂移）电击穿——可逆热击穿——烧坏PN结PN+-阳极阴极1.2 半导体二极管 二极管 = PN结 + 管壳 + 引线结构符号 二极管按结构分三大类： PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。(1) 点接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。(2) 面接触型二极管 用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。(3) 平面型二极管用数字代表同类器件的不同规格。代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge，