数字电子技术基础第二章逻辑门电路基础.pptx

第二章 逻辑门电路基础;本章主要内容;第一节 二极管、三极管的开关特性;（一）二极管的静态开关特性 ;（二）二极管的动态开关特性;tre＝ts十tt称为反向恢复时间;;产生反向恢复过程的原因：电荷存储效应 反向恢复时间tre就是存储电荷消散所需要的时间。;2. 对输入信号 vi的要求 输入信号vi的负半周的宽度应大于tre ，这样二极管才具有单向导电性。若小于，二极管还没有到达截止状态，就又必须随输入脉冲而导通，从而失去单向导电性。 输入信号vi的正半周的宽度要求比较低。 输入信号vi的频??不可太高，由tre时间决定;二、双极型三极管的开关特性 （一）双极型三极管的静态开关特性 （二）双极型三极管的动态开关特性 ;（一）双极型三极管的静态开关特性 判断三极管工作状态的解题思路： （1）把三极管从电路中拿走，在此电路拓扑结构下求三极管的发射结电压，若发射结反偏或零偏或小于死区电压值，则三极管截止。若发射结正偏，则三极管可能处于放大状态或处于饱和状态，需要进一步判断。进入步骤（2）。 （2）把三极管放入电路中，电路的拓扑结构回到从前。假设三极管处于临界饱和状态（三极管既可以认为是处于饱和状态也可以认为是处于放大状态，在放大区和饱和区的交界区域，此时三极管既有饱和状态时的特征VCES =0.3V，又有放大状态时的特征IC=?IB），求此时三极管的集电极临界饱和电流ICS ，进而求出基极临界饱和电流IBS 。集电极临界饱和电流ICS是三极管的集电极可能流过的最大电流。 （3）在原始电路拓扑结构基础上，求出三极管的基极支路中实际流动的电流iB。 （4）比较iB和IBS的大小： 若iB IBS（或者 ? iB ICS），则三极管处于饱和状态。 若iB IBS （或者 ? iB ICS），则三极管处于放大状态。;例2-1 判断图电路中三极管的状态，其中Rb=2k ，RC=2k，VCC=12V，?=50。;例2-5 电路及参数如图所示，三极管的VBE=0.7V，β＝60，输入电压vi取值3V和-2V。 （1）当vi＝3V时判断三极管的状态，并求出iC和vo的值。 （2）当vi＝-2V时判断三极管的状态，并求出iC和vo的值。;解：（1）vi＝3V;（2）vi＝-2V;;（二）双极型三极管的动态开关特性;;（1）延迟时间td—— 从输入信号vi正跳变的 瞬间开始，到集电极电流iC上升到0.1ICS所需的时间 （2）上升时间tr——集电极电流从0.1ICS上升到0.9ICS所需的时间。 （3）存储时间ts——从输入信号vi下跳变的瞬间开始，到集电极电流iC下降到0.9ICS所需的时间。 （4）下降时间tf——集电极电流从0.9ICS下降 到0.1ICS所需的时间。 ;对输入脉冲的要求;三、MOS管的开关特性;;第二节 二极管逻辑门电路;;一、正与门电路;正逻辑体制;;二、正或门电路;正逻辑体制;三、非门电路;第三节 TTL逻辑门电路;（一）输入VI为高电平3.6V时;;（二）输入VI为低电平0.3V 时;二、标准生产工艺的TTL非门的电路结构特点;;三、TTL非门的电压传输特性曲线和从其上可以得出的电路参数;（二）从电压传输特性曲线上可以得出的电路参数;输入高电平噪声容限 VNH＝V OH（min）-VON ＝V OH（min）- V IH（min） ＝2.4V-2.0V＝0.4V。;四、TTL非门输入特性和从其上可以得出的参数;1．输入低电平电流IIL;2．输入高电平电流IIH;五、TTL非门的输入负载特性和从其上可以得出的参数;1．关门电阻ROFF;六、TTL非门的输出负载特性和从其上可以得出的参数;2．最大输出低电平电流I OL（max);;2．最大输出高电平电流I OH（max）;;七、传输延迟时间;;十、TTL门电路芯片的封装;十一、其它逻辑功能的TTL门电路;;;;十二、集电极开路（OC）的TTL门电路;;;外接上拉电阻值的计算方法 ;OC门上拉电阻最小值的计算;;十三、TTL三态输出门电路;;;;十四、其它生产工艺类型的TTL门电路;第五节 CMOS门电路;;第六节 各种工艺的逻辑门之间的接口问题;9、春去春又回，新桃换旧符。在那桃花盛开的地方，在这醉人芬芳的季节，愿你生活像春天一样阳光，心情像桃花一样美丽，日子像桃子一样甜蜜。7月-217月-21Tuesday, July 27, 2021 10、人的志向通常和他们的能力成正比例。20:04:5220:04:5220:047/27/2021 8:04:52 PM 11、夫学须志也，才须学也，非学无以广才，非志无以成学。7月-2120:04:5220:04Jul-2127-Jul-21 12、越是无能的人