2015年春季ic本科生课程l03半导体制造.pptxVIP

模拟电路设计基础;第3章 半导体制造;3.1 引言;集成电路工艺简介;晶圆制备;3.2 外延生长工艺; ? “外延”在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段，故称外延生长。 ? 外延生长之所以重要，在于外延层中的杂质浓度可以方便地通过控制反应气流中的杂质含量加以调节，而不依赖于衬底中的杂质种类与掺杂水平。 以双极型集成电路为例， 掺杂较少的外延层保证了较高的击穿电压， 高掺杂的衬底降低了集电极的串联电阻。;（1）液相生长（LPE: Liquid Phase Epitaxy）;液相生长的优点;;（2）气相外延生长（VPE: Vapor Phase Epitaxy）;;（3）金属有机物气相外延生长（ MOVPE： Metalorganic Vapor Phase Epitaxy ）;MOCVD系统的组件可大致分为：反应腔、气体控制及混合系统、反应源及废气处理系统;（4）分子束外延生长（MBE：Molecular Beam Epitaxy） ;;英国VG Semicom公司型号为V80S-Si的MBE设备关键部分照片;3.3 掩模制版工艺 ;0.18um 工艺图;什么是掩模？;;整版及单片版掩模;（1）早期掩模制作方法：;IC、MaskWafer;接触式曝光;在PG法中，规定版图的基本图形为矩形。任何版图都将分解成一系列各种大小、不同位置和方向的矩形条的组合，如下图所示。每个矩形条用5个参数进行描述：（X，Y，A，W，H） 　　　　　　　;将这些数据按一定格式录在磁带上，用来控制如图所示的一套制版装置而制得初缩版。而后再将制出的初缩版装入步进重复照相机制作掩模。 ;（3）X射线制版;（4）电子束扫描法(E-Beam Scanning);电子束光刻装置：LEICA EBPG5000+;3.4 光刻工艺 ;光刻的要求;3.4.1 光刻步骤;一、晶圆涂光刻胶;正性胶与负性胶光刻图形的形成;涂光刻胶的方法;二、曝光 ;曝光方式;;接触式曝光方式的图像偏差问题;掩模和晶圆之间实现理想接触的制约因素;2、非接触式曝光;;缩小投影曝光系统;缩小投影曝光系统的特点;三、显影与后烘 ;四、刻蚀;光刻工艺图示;;光刻;（1）湿法刻蚀;;（2）干法刻蚀;反应离子刻蚀RIE;3.5 掺杂工艺 ;提高杂质浓度或使原衬底改型;掺杂工艺;（1）热扩散法掺杂; 热扩散步骤; 预淀积（预扩散）; 推进（主扩散）;（2）???子注入法掺杂;离子注入;退火处理;离子注入机;离子注入机的工作原理;离子注入技术优点;离子注入技术优点;离子注入法的缺点;3.6 绝缘层形成工艺 ;（1）干法氧化;（1）干法氧化; 湿法氧化指的是在高温下，硅与高纯水产生的蒸汽发生如下反应：Si（固体）+2H2O→SiO2（固体）+2H2，生成SiO2。 在表面已有了SiO2后，由于这层已生成的SiO2对氧的阻碍作用，氧化的速度是逐渐降低的。由于Si和SiO2晶格尺寸的差异，每生长1μm的SiO2，约需消耗0.44μm的Si。; 硅氧化示意图;绝缘层隔离工艺;（1）局部氧化隔离法;局部氧化隔离工艺步骤;（2）浅沟槽隔离(STI);3.7 金属层形成工艺 ;半导体与金属线间的接触分为两类;理想与现实的差异;金属层形成;金属层形成;蒸镀法和溅镀法;溅镀法（溅射法）;溅射法优点; 溅射法的优点;预习下节课：;本节结束（1~79）;;