chapter 7 薄膜厚度和沉积速率的测定和监控.pptVIP

第二部分：薄膜的测量 ——薄膜厚度及沉积速率的测定和监控 第七章 膜厚和淀积速率的测量与监控 7-1 概述 7-2 称重法 7-3 电学方法 7-4 光学方法 7-5 触针法 7-1 概述 薄膜的厚度(膜厚)是薄膜最重要的参数之一，它影响着薄膜的各种性质及其用途。实际应用的薄膜的厚度很小，通常在几个纳米到几个微米之间。因此膜厚的测量以及薄膜形成过程中对它的厚度的监控不仅十分重要，而且往往是一项特殊的技术。 薄膜沉积过程中的沉积速率则是制膜工艺过程中的一个重要参数，它直接影响到薄膜的结构和特性。 本章将着重介绍薄膜厚度的测定和监控方法。 沉积速率的测定与监控，只要是能在制膜过程中有连续反映膜厚能力的测试方法，再计及时间间隔，都可以用来作为沉积速率测定与监控的方法。 一、基本概念（1/3） 薄膜： 是指在基板的垂直方向上所堆积的1-104的原子层或分子层。在此方向上薄膜具有微观结构。 厚度： 是指两个完全平整的平行平面之间的距离，是一个可观测到实体的尺寸。因此，这个概念是一个几何概念。 基本概念（2/3） 理想的薄膜厚度是指基片表面和薄膜表面之间的距离。由于薄膜仅在厚度方向是微观的，其他的两维方向具有宏观大小。故表示薄膜的形状，一定要用宏观方法，即采用长、宽、厚的方法。因此，从这个意义上讲，膜厚既是一个宏观概念，又是微观上的实体线度。 基本概念（3/3） 由于实际上存在的表面是不平整和不连续的，而且薄膜内部还可能存在着针孔、杂质、晶格缺陷和表面吸附分子等，所以，要严格地定义和精确测量薄膜的厚度实际上是比较困难的。 膜厚的定义应根据测量的方法和目的来决定。又因为几乎所有的薄膜性质都与膜厚有关，因此利用薄膜的性质可用来进行膜厚的测量。但是对于同一薄膜，使用不同的测量方法将得到不同的结果(即不同的厚度值)，这一点必须注意到。 二、实际表面和平均表面的示意图 三、假想的薄膜剖面和膜厚定义示意图 四、ST、SM 、SP 、SS ST ：薄膜上，不与基片接触的那一侧的表面的平均表面称为薄膜形状表面； SM ：将所测量的薄膜原子重新排列，使其密度和块状材料的相同且均匀分布在基片表面上，这时的平均表面称为薄膜质量等价表面； SP ：根据所测量薄膜的物理性质，等效为长度和宽度与所测量的薄膜尺寸相同的块状材料的薄膜，这时的平均表面称为薄膜物性等价表面。 SS ：通常，将薄膜接触基片一侧的表面分子的集合的平均表面称为薄膜的基片表面； 五、dT、dM、dP 对应不同的测试方法测得的薄膜厚度的属性也不同，可分为形状膜厚、质量膜厚和物性膜厚三种。 dT ：形状膜厚，是SS和ST面之间的距离； dM ：质量膜厚，是SS和SM面之间的距离； dP ：物性膜厚，是SS和SP面之间的距离； 六、对膜厚三种定义的说明 1） 形状膜厚dT： 是最接近于直观形式的膜厚，通常以?m为单位。 dT只与表面原子(分子)有关，并且包含着薄膜内部结构的影响； 2）质量膜厚dM： 反映了薄膜中包含物质的多少，通常以?g／cm2为单位，它消除了薄膜内部结构的影响(如缺陷、针孔、变形等)； 3）物性膜厚dp： 在实际使用上较有用，而且比较容易测量，它与薄膜内部结构和外部结构无直接关系，主要取决于薄膜的性质(如电阻率、透射率等)。 三种定义的膜厚值往往满足下列不等式： dT≧dM ≧ dP 七、膜厚的测试方法 由于实际表面的不平整性，以及薄膜不可避免有各种缺陷、杂质和吸附分子等存在，所以不论用哪种方法来定义和测量膜厚，都包含着平均化的统计概念，而且所得膜厚的平均值是包括了杂质、缺陷以及吸附分子在内的薄膜的厚度值。 具体：1）在形状膜厚的测量方法中，触计法和多次反射干涉法最常用，由它们所确定的膜厚，确实是由表面的形状所决定。 2）在质量膜厚测定中，天平法最常用，但难以实现自动测试，为此多采用石英晶体振荡法代替。 3）一般说来，只要厚度随薄膜物性变化，都能用于物性厚度的测量。且因该法的灵敏度高、测试容易和比较直观等，所以电物性和电光性的膜厚测量方法应用最广泛。 7-2 称重法(测质量膜厚) 一、微量天平法 此法是建立在直接测定蒸镀在基片