实验四、半导体α谱仪测量铝箔厚度.docx

实验四 半导体α谱仪测量铝箔厚度 实验目的 了解金硅面垒半导体探测器α谱仪的工作原理、特性。 掌握α谱仪的调整技术，及使用α谱仪测量α粒子能谱的方法。 学会用α谱仪测量能量损失求薄箔厚度的方法。 测定241Am核素α衰变的相对强度。 实验内容 调整一台α谱仪到最佳工作状态，测定谱仪能量分辨率。 用精密脉冲发生器代替α源进行能量刻度。 测量241Am α粒子通过铝箔的能量损失，确定铝箔厚度。 用精密脉冲发生器测定加探测器结电容后的谱仪电子学及探测器噪声对谱线展宽的贡献，求出放射源及探测器窗的厚度不均对谱线造成的展宽。 测定241Am α衰变的决对强度。 *用偏置放大器来扩展能谱，测定241Am α衰变的相对强度。 实验原理 半导体α谱仪的组成如图4-1所示。 图 图4- SEQ 图4- \* ARABIC 1 α谱仪系统示意图 电荷灵敏放大器 线 性 放大器 偏 置 放大器 多 道 分析器 精密脉冲发生器 低压电源 示波器 α源 真空泵 金硅面垒 半导体探测器 金硅面垒探测器是用一片N型硅，蒸上一薄薄的金层(100-200 ?)，接近金层的那一层硅具有P型硅的特性，这种方式形成的PN结靠近表面层，结区即为探测粒子的灵敏区。探测器工作时加反向偏压。α粒子在灵敏区内损失能量转变为与其能量成正比的电脉冲信号，经放大并由多道分析器测量脉冲信号按幅度的分布，从而给出带电粒子的能谱。偏置放大器的作用是当多道分析器的道数不够用时，利用它切割，展宽脉冲幅度，以利于脉冲幅度的精确分析。为了提高谱仪的能量分辨率，探测器要放在真空中。另外金硅面垒探测器一般具有光敏的特性，在使用过程中，应有光屏蔽措施。 金硅面垒型半导体α谱仪具有能量分辨率高，能量线性范围宽，脉冲上升时间快，体积小和价格便宜等优点。带电粒子进入灵敏区，损失能量产生电子空穴对。形成一对电子空穴所需的能量W和半导体材料有关，与入射粒子的类型和能量无关。对于硅，在300 K时，W为3.62 eV，77 K时为3.76 eV。对于锗，在77 K时W为2.96 eV。若灵敏区的厚度大于入射粒子在硅中的射程，则带电粒子的能量E全部损失其中，产生的总电荷量Q等于，为产生的电子空穴对数，e为电子电量。由于外加偏压，灵敏区的电场强度很大，产生的电子空穴对全部收集，输出一个电流脉冲，它在持续时间内的积分等于总电荷量Q。 当探测器输出回路时间常数＞＞电子空穴对收集时间时，输出电压脉冲幅度。  其中是探测器结电容，是前放输入电容，是分布电容。当不变时。但与所加反向偏压有关，任何偏压的微小变化或实用中有时要根据被测粒子射程而对偏压进行适当的调节，都会使输出脉冲幅度(对同一个)变化，这对能谱测量不利，因此半导体探测器都采用电荷灵敏前置放大器，见图4-2。其中是放大器的开环增益，是反馈电容，放大器的等效输入电容为。只要，就有： （4-1） 图4- SEQ 图4- SEQ 图4- \* ARABIC 3 探测器等效电路和前置放大器 图4- SEQ 图4- \* ARABIC 3 不同偏压的α谱曲线 确定半导体探测器的偏压 对N型硅，探测器灵敏区的厚度dn和结电容Cd与探测器偏压V的关系如下： (μm) （4-2） (μμF/cm2) （4-3） 图4- SEQ 图4- \* ARABIC 5 峰位—偏压曲线图4- SEQ 图4- \* ARABIC 5 图4- SEQ 图4- \* ARABIC 5 峰位—偏压曲线 图4- SEQ 图4- \* ARABIC 5 能量分辨率—偏压曲线 α谱仪的能量刻度和能量分辨率 谱仪的能量刻度是确定α粒子能量与脉冲幅度之间的对应关系。脉冲幅度大小以谱线峰位在多道分析器中的道址来表示。α谱仪系统的能量刻度有两种方法： (1)用一个239Pu，241Am，244Cm混合的α刻度源，已知各素α粒子的能量，测出该能量在多道分析器上所对应的谱线峰位道址，作能量对应道址的 （4-4） E为α粒子能量(keV)，d为对应谱峰所在道址(道)。G是直线斜率(keV/每道)，称为能量刻度常数。E0是直线截距(keV)，它表示由于α粒子穿过探测器金层表面所损失的能量。 (2)用一个已知能量的单能α源，配合线性良好的精密脉冲发生器来作能量刻度。这是在α源种类较少的实验条件下常用的方法。 一般谱仪的能量刻度线性可达0.1%左右。常用α谱仪的刻度源能量可查常用核素表。在与能量刻度相同的测量条件下(如偏压，放大倍数，几何条件等)，测量未知α源的脉冲谱，由谱线峰位求得对应α粒子能量，从而确定未知α源成份。 谱仪的能量分辨率也用谱线的半宽度FWHM表示。FWHM是谱线峰最大计数一半处的宽度，