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光伏实习报告 篇一： 光伏认识实习报告 太阳是能量的天然。地球上每一个活着的生物之所以具 有发挥作用的能力 , 甚至于是它的生存，都是由于直接或间 接来自于太阳的能量。我们的地球处在离太阳差不多有一亿 英里的地方。它所截取的辐射能少到难以置信 （大约千万 分之三），这么小的一点能量， 实际上比整个世界目前现 有的发电能力还大十万倍。目前全世界尤其是工业发达国家 开始感到能量短缺，因此，人们开始求助于太阳能，以解决 能源危机。 光伏产业链包括硅料、硅片、电池片、电池组件、应用 系统 5 个环节。上游为硅料、硅片环节；中游为电池片、电 池组件环节；下游为应用系统环节。从全球范围来看，产业 链 5 个环节所涉及企业数量依次大幅增加，光伏市场产业链 呈金字塔形结构。 在整个产业链中，硅料尤其是高纯度的硅料毛利率最 高。由于近年来光伏产业的快速发展，硅料出现供不应求的 状况， 硅料的价格更是节节攀升。 20XX 年初从以工业硅为原 料提纯后所得的多晶硅价格已经上涨至约 300 美元/ 公斤， 部分高纯度多晶硅甚至达到 500 美元/ 公斤。其次是硅片生 产的利润率较高，而组件生产和工程安装利润率最低，约为 10%左右。 目前，大部分光伏企业的产品集中在硅片、电池片和电 池组件，以及应用系统方面。硅料的利润增长点主要是来自 高纯度的多晶硅，而纯度较低的工业硅（纯度为 98%～99%） 则价格极为低廉。工业硅料的生产主要在发展中国家进行， 是产业链中高能耗、高污染的一环。工业硅料经提纯后得到 高纯度的硅料（纯度在 %以上）则价格高昂。高纯度硅料的 供应商主要来自美国、德国和日本的公司。随着光伏产业的 发展， 这些公司有扩大高纯度硅料产能的趋势， 公司（ Hemlock Semiconductor Corporation 如美 国 HSC ）的多晶硅产 能将从目前的 1 万吨增加到 20XX 年的万吨，预计 20XX年扩 产 至 万 吨； 另 一 家 公 司 MEMC公 司 （ MEMCElectronic Materials Inc. ）的产能也将由 4900 吨提高至 20XX年的 8000 吨。 工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉 法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成 方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为 10~15cm， 厚度约 200~350um，电阻率约 1 Ω .cm 的 p 型（掺硼）。 硅 片在切割过程会产生大量的表面缺陷，这就会产生两个问 题，首先表面的质量较差，另外这些表面缺陷会在电池制造 过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除，一般采用 碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约 10um。 制绒，就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱 腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到 硅片表面的太阳能的损失。对于单晶硅来说一般采用 NaOH 加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成 无数 的金字塔结构，碱液的温度约 80 度，浓度约 1~2%，腐 蚀时间约 15 分钟。对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀。 扩散的目的在于形成 PN结。普遍采用磷做 n 温度，因此在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅 片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和 金属杂质。 扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层。周边 扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去。周边 上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至 成为废品。目前，工业化生产用等离子干法腐蚀，在辉光放 电条件下通过氟和氧交替对硅作用，去除含有扩散层的周 边。 扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。 沉积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率。 广泛使用 PECVD淀积 SiN , 由于 PECVD淀积 SiN 时 , 不光是生 长 SiN 作为减反射膜 , 同时生成了大量的原子氢 能对多晶硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用 批量生产。 , 这些氢原子 , 可用于大 电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步 骤，它不仅决定了发射区的结构，而且也决定了电池的串联 电阻和电池表面被金属覆盖的面积。，最早采用真空蒸镀或 化学电镀技术，而现在普遍采用丝印刷法，即通过特殊的印 刷机和模版将银浆铝浆 （银铝浆）