半导体制造工艺_08扩散(下).pptxVIP

上节课主要内容;如何判断对费克定律应用何种解析解？ 当表面浓度为固溶度时，意味着该分布是余误差分布 当表面浓度较低时，意味着该分布是经过长时间的推进过程，是高斯分布。;例题：CMOS中的p阱的形成。要求表面浓度Cs=4x1017 cm-3，结深xj=3 mm。 已知衬底浓度为CB=1×1015 cm3。 设计该工艺过程。;假定推进退火获得的结深，则根据;2）推进退火的时间;4）假如采用950 ?C热扩散预淀积而非离子注入;影响杂质分布的其他因素;1、电场效应（Field effect）——非本征扩散;所以，杂质流由两部分组成：;由 并假定杂质全部离化，有;电场效应对于低浓度本体杂质分布影响更大;2、扩散系数与杂质浓度的关系;;非本征掺杂扩散系数比本征掺杂扩散系数高一个数量级！！;对于B，P来说，在氧化过程中，其扩散系数增加。 对Sb来说，扩散系数减小。 双扩散机制: 杂质可以通过空位和间隙两种方式扩散;;2）ORD：对于Sb来说，其在硅中的扩散主要是通过空位进行。 氧化注入间隙?间隙和空位在硅中复合 ?硅中空位浓度减小?Sb的扩散被抑制 I+V?Sis ;4、发射极推进效应（Emitter Push effect）;常用杂质硼（B），磷（P），砷（As）在硅中的性质 ;2）磷;3）砷;气态相源扩散（gas source） 液态源扩散（liquid source） 固态源扩散（solid source） 旋涂源扩散（spin-on-glass） 注意：在引入扩散源后作推进扩散时，常常会在硅片上表面有一氧化层或其它覆盖层保护硅片，使硅片中的杂质不会挥发到大气中去。;1、气态源扩散;2、液态源扩散;1）液态源硼扩散 ? 源 硼酸三甲脂 B[(CH3)O]3 ? 在500 oC 以上分解反应 B[(CH3)O]3 ? B2O3 + CO2 + H2O ＋ ... 2B2O3 + 3Si ? 3SiO2 + 4B ? 例： 预淀积: 950 oC 通源 10－20 分钟，N2 再分布: 1100 － 1200 o C干氧＋湿氧＋干氧;2）液态源磷扩散 ? 源 三氯氧磷 (POCl3) 600 ?C 5POCl3 ???? P2O5 + 3PCl5 2P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P (向硅中扩散) ? PCl5难分解，会腐蚀硅，故还要通入少量O2 4PCl5 + 5O2 ???? 2P2O5 + 10Cl2 ? ? 例 ： 预淀积 :1050 ?C N2 和 O2 再分布: 950 ?C O2;3、固态源扩散（B2O3，P2O5，BN等）;锑的箱法扩散 硅片与扩散源同放一箱内， 在N2气保护下扩散 源 ： Sb2O3 : SiO2 = 1:4 (粉末重量比) 2Sb2O3 + 3Si = 4Sb + 3SiO2 ;4、 旋涂掺杂法（spin-on-glass）;扩散层质量检验; 四探针薄层电阻测量;结深测量;掺杂分布测量;二次离子质谱（Secondary Ion Mass Spectroscopy, SIMS）;35;非本征扩散;与浓度有关的扩散;考虑扩散系数时，D可以写成：;结深可以用下式表示;扩散分布－硅中的扩散;磷在不同表面浓度下，在1000℃下扩散1h后的分布;在砷化镓中的锌扩散;43;扩散相关工艺－横向扩散;由于横向扩散作用，结包含了一个中央平面区及一个近似圆柱、曲率半径为rj的边。此外，如果掩蔽层有尖锐的角，在这个角处的结将因横向扩散而近似与圆球状。既然电场强度在圆柱与圆球结处较强，则该处雪崩击穿电压远低于有相同衬底掺杂的平面结处。;本节课主要内容;9、有时候读书是一种巧妙地避开思考的方法。3月-213月-21Sunday, March 7, 2021 10、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。22:19:5322:19:5322:193/7/2021 10:19:53 PM 11、越是没有本领的就越加自命不凡。3月-2122:19:5322:19Mar-2107-Mar-21 12、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。22:19:5322:19:5322:19Sunday, March 7, 2021 13、知人者智，自知者明。胜人者有力，自胜者强。3月-213月-2122:19