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高升压比交错并联Boost电路的分析 类别：电源技术 阅读：869 摘要：文章分析了传统 BooST电路在实际应用中存在的问题， 提出了一种改进型的交错并联 Boost电路。在电感电流连续模式下，根据占空比大于或小于 0。5的情况，详细分析电路 的工作过程，推导了稳态情况下输出输入电压关系式， 最后通过仿真验证了理论分析的正确 性。 0引言 升压变换器是最常用的一种变换器，随着新能源的推广，由于太阳 能、燃料电池、蓄电池等输入源具有输入电压较低的特性， 升压变换器成为不可或缺的关键 部件。常用的非隔离 Boost升压变换器，在高输出电压场合，由于寄生参数的影响不可能 达到很高的输入输出电压比。而另一种升压电路是隔离升压电路，例如正 激、反激电路。 隔离升压电路中必须用到的变压器通常具有隔离、 变压的功能，在那些不需要隔离或体积要 求较小的应用场合，通过变压器升压就很难满足要求， 另 外变压器漏感引起的一系列问题， 比如开关电压过冲，EMI等，常常对电源本身及周围设备带来安全隐患。 为了克服常用升压变换器在大功率、 高输入输出变比等场合应用的限制，分析了一种新的电路拓扑结构及其工作方式，并对其进行了仿真验证。下面分析 Boost 为了克服常用升压变换器在大功率、 高输入输出变比等场合应用的限制， 分析了一种新的电路拓扑结构及其工作方式，并对其进行了仿真验证。 下面分析 Boost 电路存在的不足，在理想情 I) M(D)=U0Uin= 11-D⑴根据式⑴，在一定的输入电压下，理论上可以产生任意高于 输入电压的输出电压。而实际情况中，由于电感、二极管、开关管都会产生一定的损耗，这 些损耗可以等效为一个与电感串联的电阻 RL，如图1所示 rl CZZ1— ) L S \ ￡1 L c — R 二 fl 耳 图1 Boost 等效电路图 此时根据磁平衡原理 ：Uin 一 M / ) DT = (1 人一 民)(1 -l))T (2) h (1 - IL I)) 一牛 (3) R 由 式 ⑵ ⑶ 可 得 ( (i) -4- -4- ( (i) -4- -4- M(mCin(1 + (11 M(m Cin (1 + (1 1 I)):R 根据式(4)，在不同的RL/R情况下，M(D)如图2所示。 Boost电路升压比有限制极限，输出电压一般能达到输入电压的 中，由于损耗严重，升压比反而更低。 为了克服上述非隔离升压电路的不足，本文研究的升压变换器如图 错 并联 Boost 电 路 与 电 容 串 联组 由此可见，在实际电路中, 4?5倍。 在大功率应用环境 3所示，它由交 而 成 。 图 2 升 压 比 与 占 空 比 关 Di L. 图3高升压比交错并联 Boost电路结构图 在电感电流连续模式下，当占空比大于 0。5时，系统工作原理时序如图 4所示，PS1、PS2分别为开关管 S1、S2的驱动脉冲。ID1、 ID2 分别为流过续流二极管 D1 、 D2的电流。 LX LX 图4系统工作波形图 在一个周期内系统工作状态如下： ［tO?t1］阶段，S1、 S2同时导通。输入电流流过电感与开关管，所有的二极管电流为零，电感储存能量，如图 5 1) Li DC6 所示。 C1、 C1、C2通过D4串联，同时与 Co通过D2并 两端电压的两倍。 图5 ［tO?t1］阶段电路工作图 ［t1 量通过D4 D2释放给C1、Co,如图6所示。 ?⑵ 阶段，S1导通、S2关断。电感L2储存的能 此时 ［t2?t3］阶段，S1、 ［t2?t3］阶段，S1、S2同时导通。系统状态与［tO t1］阶段相同。 ［t3?t4］阶段，S1关断、S2导通。电感L1储存的能量通过 D3 D1释放给C2、Co, 如图7所示。此时 C1、C2通过D3串联，同时与 Co通过D併联，L2继续导通并储存能量。 图7 [t3?t4]阶段电路工作图L1=L2=L ， 图7 [t3?t4]阶段电路工作图 L1=L2=L ， 6= C2=C ， UC仁UC2=U 人M （1丿 in）（ 1 D)T Z L 根 据 式 (5) 可 得 Un — 1 r m (6) 1 r、 1 I) rjfc- 由 磁 链 守 恒 得 输 出 电 压 U0 等 于 UC1 与 UC2 之 和 UJ)T — (UC2 -LTin)PT + (Ug — L. — U^)(l 一 2L))T (8) Lo = Id + Uq2 = 2G C2 肋收 O 由式（7）可见，在相同占空比的条件下，采用本文所述电路结构的升压比比采用传 统Boost电路的升压比提高了两倍。 在电感电流连续模式下， 占空比小于0。5时，开关管S1、S2的驱动脉冲如图8所示。 (15) (15) 图8占空比小于0.5时，开关管 S1