电子技术(新)（同电工电子技术(新)）(原自建课）差分及互补对称功率放大电路的分析教学案例1：达林顿管的应用.docxVIP

职业教育电气自动化技术专业教学资源库 职业教育电气自动化技术专业教学资源库 PAGE 2 PAGE 1 职业教育电气自动化技术专业教学资源库 教 学 案 例 课程名称： 电工电子技术 项目名称： 基本放大电路 知 识 点： 基本共射放大电路静态分析 编 制 人： 高红 邮 箱： Gaohong03@163.com 电 话： 0533-2945261 编制时间： 2015年7月 编制单位：山东铝业职业学院 《电工电子技术》课程案例 达林顿管的应用 1.课程案例基本信息 课程案例名称 达林顿管的应用 课程案例编号 01 关键词 达林顿管 复合管 逆变 对应知识点 放大电路的静态分析 达林顿管采用复合连接方式，将两只或更多只晶体管的集电极连在一起，而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极，依次级联而成，最后引出E、B、C三个电极。 CBECBE图一是由两只NPN或PNP型晶体管构成的达林顿管的基本电路。设每只晶体管的电流放大系数分别为hFE1和hFE2，则总放大系数为hFE≈ hFE1· C B E C B E CCE 图一（a）NPN (b)PNP C C E VT1BEVT2VDR1R2CR1R2VDVT1VT2CBE因此，达林顿管具有很高的放大系数， VT1 B E VT2 VD R1 R2 C R1 R2 VD VT1 VT2 C B E 图二 （a）NPN （b）PNP 大部分大功率达林顿管还在C一E极之间反向并联一只阻尼二极管VD(亦称续流二极管)。当負载（例如继电器线圈）突然断电时，可通过二极管将反向电动势泄放掉，防止内部晶体管被击穿，图2中R1、R2是泄放电阻，可以为漏电流提供泄放支路，因VT1的基极漏电流较小，故R1的阻值可适当大些。由于VT1的漏电流经过放大后加至VT2的基极上，加之VT2本身也存在漏电流，使得VT2基极上的漏电流较大、因此应降低R2的阻值，以满足R2＜＜R1的关系。通常取R1为几千欧，R2为几十欧，两者相差两个数量级。 由于达林顿管具有增益高、开关速度快、能简化设计电路等优点，颇受人们的欢迎。为了方便设计者选用，生产单位提供不少参数的大、中、小功率管。 美国摩托罗拉公司生产的MPSA622型管是低噪声PNP达林顿管，它的外形如图三所示， 主要技术指标为hFE=5000-200000，最大允许功耗PCM=600mW，噪声系数小于20dB，德国AEG公司生产的BD681型中功率NPN达林顿管，它的特点是高β，低压降，外形见如图使用时不必加散热器，它的主要参数VCEO=100V，ICM=4A，PCW=40W。表一列出了几种管子的主要参数，供使用者参考。 【典型应用】 ①用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。 ②驱动小型继电器。利用CMOS电路经过达林顿管驱动高灵敏度继电器电路，如图四所示。虚线框内是小功率NPN达林顿管FNO20。 PN020+5V PN020 +5V +12V+12 JRC-12 K IN4001 R CMOS VD 51K 图四 图五 ③驱动LED智能显示屏。LED智能显示屏是由微型计算机控制，以LED矩阵板做显示的系统，可以用来显示各种文字及图案，该系统中的行驱动器和列驱动器均采用高β、高速低压降的达林顿管。图五是用BD681(或BD677)型中功率NPN达林顿管作为列驱动器、控制8×8LED矩阵板上相应的行或列)上的像素发光。应注意的是。达林顿管由于内部由多只管子及电阻组成，用万用表测试时，be结的正反向阻值与普通三极管不同。对于高速达林顿管，有些管子前级be结还反并联一只输入阻尼二极管，如图二中虚线所示。这时测出be节正反向电阻阻值很接近容易误判为坏管。 VCEO IC hFE PO 封装形式 FN030 60V 0.8A 5000 1.8W 图3（a) BD677 60V 4A 750 40W 图3（b) BD678 -60V -4A 750 40W 图3（b) BDX63A 80V 8A 500 90W 图3（c) BDX62A -80V -8A 500 90W 图3（c) KP110A 80V 10A 500 150W 图3（c) MJ1006 500V 50A 35 350W 图3（c) MJ10032 120V 50A 400 300W 图3（c) MJ10033 120V 50A 400 300W 图3（c)