谐振变换器的性能分析与 GaN 器件应用-高圣伟-天津工业大学.pdfVIP

电子工程师的掌上学习平台 谐振变换器的性能分析 与GaN器件应用 高圣伟 天津工业大学 1 电子工程师的掌上学习平台 内容介绍 一、 MOSFET工作特性及损耗分析 二、 基本串并联谐振电路工作原理 三、 谐振网络在变换器中的应用分析 四、 LLC谐振变换的工作特性曲线设计 五、 GaN器件特性分析及应用 2 电子工程师的掌上学习平台  一、 MOSFET工作特性及损耗分析  1.1、开关电源的发展  1.2、MOSFET损耗分析  1.3、总结 3 1.1、开关电源的发展 电子工程师的掌上学习平台 小型化 高频率 集成化 高功率密度 模块化 低功耗 4 1.1、开关电源的发展 电子工程师的掌上学习平台 · 随着环保节能的观念越来越被各国所重视，电子产 品对开关电源需求不断增长，开关电源的功率损耗分析 也越来越重要。 • 由于开关电源内部损耗的功率决定了电源热效应 和总体效率，所以了解开关电源的功率损耗是一项极 为重要的工作。 • 产生损耗的因素非常多，在此只分析开关电源的 核心器件MOSFET开关管的损耗，深入理解它产生损耗 的过程和提出解决方法。 5 1.2、MOSFET损耗分析 电子工程师的掌上学习平台 硬开关模式下的开关管开通和关断过程 6 软开关模式下的开关管开通和关断过程 1.2、MOSFET损耗分析 电子工程师的掌上学习平台 功率MOSFET的运行特性如图所示 MOSFET开关过程特性分析 7 1.2、MOSFET损耗分析 电子工程师的掌上学习平台 • 到了米勒平台后，漏极电流达到系统最大电流Ip， 并保持在电路决定的恒定最大值Ip，漏极电压开始下降， MOSFET固有的转移特性使栅极电压和漏极电流保持比例 的关系，漏极电流恒定，因此栅极电压也保持恒定，这 样栅极电压不变，栅源极间的电容不再流过电流，驱动 的电流全部流过米勒电容。 • 过了米勒平台后，MOSFET完全导通，栅极电压和漏 极电流不再受转移特性的约束，就继续地增大，直到等 于驱动电路的电源的电压。 8 1.2、MOSFET损耗分析 电子工程师的掌上学习平台 MOSFET寄生参数分析 输入电容 输出电容 反向传输电容 MOSFET的栅极电阻 9 1.2、MOSFET损耗分析 电子工程师的掌上学习平台  开通过程中，从t0时刻起，栅源极间电容开始充电，栅 电压开始上升，栅极电压为 ：  （1）   其中： ，V 为PWM栅极驱动器的输出 GS 电压。  栅极驱动内阻。  10 1.2、MOSFET损耗分析 电子工程师的掌上学习平台  V 电压从0增